CV Lattes
Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Professor Adjunto do Departamento de Física da Universidade Federal de São Carlos (DF-UFSCar), onde cursou Bacharelado em Física (2001-2004) e Licenciatura Plena em Física (2005-2006). Atuou como Coordenador do Curso de Bacharelado em Engenharia Física (2018-2022). Foi também Professor Adjunto do Departamento de Ciências Exatas da Universidade Federal de Lavras (DEX-UFLA) (2014). Possui Mestrado (2005-2007) e Doutorado (2007-2010) em Física Aplicada pelo Instituto de Física de São Carlos/USP, onde foi Pesquisador Pós-Doutor (2010-2014). Realizou ainda estágio de Pós-Doutoramento (2013) no Institute for Nanoscience and Engineering da University of Arkansas, Estados Unidos. Atua como Revisor em diferentes Periódicos Internacionais. Tem experiência na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada Experimental, atuando principalmente nos seguintes temas: Ciência e Tecnologia de Filmes Finos, Materiais Amorfos, Semicondutores Magnéticos, Técnicas Espectroscópicas, Espalhamento Raman, Microscopia, Litografia por Feixe de Íons Focalizados, Epitaxia por Feixes Moleculares, dentre outros. (Fonte: Currículo Lattes)
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Vidros fosfatos são materiais com grande potencialidade de aplicação tecnológica, por exemplo, como biomateriais, dispositivos ópticos, sensores, baterias de estado sólido, selos herméticos vidro-metal, matrizes imobilizadoras de resíduos industriais e radiativos, etc. O estudo da estrutura destes sistemas é um tópico de importância básica e tecnológica, pois existe uma estreita correlaçã…
Este projeto de pesquisa tem como objetivo principal o crescimento de pontos quânticos auto-organizados de InAs dopados com Manganês através da técnica de epitaxia por feixes moleculares (MBE). A presente proposta torna-se possível em virtude do projeto Multiusuário FAPESP (processo 2009/54033-1) recentemente aprovado para a aquisição e instalação (outubro/novembro 2011) de um novo sistem…
Este Plano de Pesquisa tem por objetivo a síntese e a caracterização espectroscópica de compostos semicondutores de potencial interesse na moderna indústria eletrônica. Os sistemas investigados serão aqueles à base de filmes de Si e Ge dopados. Em todas as situações, as amostras serão preparadas pela técnica de cosputtering e envolverão filmes de Si amorfo (a-Si), a-Ge e ligas a-SiGe. Alé…
Este Projeto de Pesquisa tem por objetivo o estudo dos mecanismos de cristalização em filmes de silício amorfo (a-Si) dopados com níquel (a-Si:Ni). Estritamente, este projeto é uma continuação do trabalho experimental realizado no período Maio-Setembro 2004 (FAPESP 03/03860-9, "Filmes de Silício amorfo dopados com Níquel") sob a forma de Iniciação Científica. Em função deste esforço inici…
O presente projeto aborda a realização de estágio de pesquisa no exterior, no Institute for Nanoscience and Engineering, na University of Arkansas, em Fayetteville, Estados Unidos, através do programa BEPE - Pós-Doutorado por um período de 06 meses. O trabalho visa preencher uma lacuna e dar novas contribuições no entendimento das propriedades de uma forma geral e dos mecanismos responsáv…