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Yara Galvão Gobato
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Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET) (Instituição-sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui graduação em Física pela Universidade de São Paulo (1986), mestrado em Física pela Universidade de São Paulo (1989) e doutorado em Physique - Ecole Normale Superieurie (1993). Realizou 3 pós-doutorados sendo um na Ecole Normale Superieure na França, outro no Brasil (IFGW-UNICAMP) e recentemente no Laboratório de Altos Campos Magnéticos na Radboud University (Holanda) . É professor associado no Departamento de Física da Universidade Federal de São Carlos .Tem experiência na área de Física, com ênfase em Estados Eletrônicos, atuando principalmente nos seguintes temas: materiais/dispositivos semicondutores baseados em sistemas III-V, óxidos , polímeros, materiais semicondutores para aplicações em optoeletrônica e células solares. A pesquisadora atua também com grande ênfase na área nanociência e nanotecnologia com projetos em propriedades óticas e de transporte de materiais/dispositivos semicondutores tais como pontos quânticos, nanofios quânticos , sistemas semicondutores bidimensionais (2D) e etc. (Fonte: Currículo Lattes)
Auxílios à pesquisa
- Propriedades óticas, magneto-óticas, de transporte e magneto-transporte de materiais semicondutores bidimensionais baseados em materiais de transição dicalcogenados, AP.R
Resumo
Neste projeto, pretendemos investigar as propriedades óticas e de transporte de materiais semicondutores bidimensionais (2D) baseados em metais de transição do grupo VI dicalcogenados (TMDs) do tipo MX2 (M=Mo, W e X= S, Se ou Te). Os semicondutores 2D MTDs possuem assimetria de inversão de estrutura cristalina, gap de banda direto, forte interação spin-orbita e forte interação coulomb...
- 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, AR.EXT
- Propriedades óticas, elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores, AP.R
Resumo
Esse projeto de pesquisa tem como objetivo estudar as propriedades óticas, elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores. Os temas gerais que fazem parte desta proposta podem ser agrupados da seguinte forma: (i) estudo das propriedades de spin controlados por voltagem em diodos de tunelamento ressonante com diferentes designs dando continuidade ao estudo que ...
Bolsas no país
- Estudo de propriedades ópticas e magneto-ópticas de nanoestruturas semicondutoras, BP.PD
Resumo
Neste projeto, pretendemos realizar um estudo sistemático de efeitos de spin em nanoestruturas semicondutoras baseadas em novos materiais de interesse em spintrônica. Em particular, pretendemos estudar efeitos de filtragem de spin por centros paramagnéticos profundos em nanostruturas de InGaAsN/GaAs e filmes GaAsBi crescidos em diferentes planos cristalinos. A observação recente na li...
- Efeitos de spin em heteroestruturas semicondutoras, BP.PD
Resumo
O projeto de pesquisa tem como objetivo principal dar continuidade ao estudo sistemático da polarização de spin em diodos de tunelamento ressonante baseadas em sistemas III-V e iniciar um estudo de efeitos de spin em poços quânticos de InGaAsN. Para isso, contamos com diversas amostras preparadas pela equipe do Dr. Mohamed Henini da University of Nottingham (U.K.). Pretendemos investi...
- Polarização de spin em diodos de tunelamento ressonante, BP.PD
Resumo
Esse projeto de pesquisa tem como objetivo principal realizar dar continuidade ao estudo sistemático da polarização de spin em diodos de tunelamento ressonante baseadas em sistemas III-V. Para isso, contamos com amostras preparadas pela equipe do Dr. Mohamed Henini da University of Nottingham (U.K.) na preparação e processamento de diodos de tunelamento ressonante. Pretendemos investig...
Bolsas no Exterior
- Propriedades ópticas e de transporte em altos campos magnéticos de heteroestruturas e dispositivos semicondutores baseados em materiais bidimensionais (2D), BE.PQ
Resumo
Nesta proposta, pretendemos investigar as propriedades ópticas, magneto-óticas e de transporte de heteroestruturas/dispositivos baseados em materiais semicondutores bidimensionais (2D) de metais de transição do grupo VI dicalcogenados (TMDs) do tipo MX2 (M = Mo,W, Re e X= S,Se ou Te). A proposta envolve tanto aprendizado de montagens óticas e elétricas apropriadas para medidas de micr...
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
| Publicações | 31 |
| Citações | 95 |
| Cit./Artigo | 3,1 |
| Dados do Web of Science | |
PITON, MARCELO RIZZO; HAKKARAINEN, TEEMU; HILSKA, JOONAS; KOIVUSALO, EERO; LUPO, DONALD; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Optimization of Ohmic Contacts to p-GaAs Nanowires. NANOSCALE RESEARCH LETTERS, v. 14, n. 1, DEC 2019. Citações Web of Science: 0. (14/50513-7, 16/10668-7)
BHUNIA, AMIT; SINGH, MOHIT KUMAR; GOBATO, Y. GALVAO; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Experimental Detection and Control of Trions and Fermi-Edge Singularity in Single-Barrier GaAs/AlAs/GaAs Heterostructures Using Photocapacitance Spectroscopy. PHYSICAL REVIEW APPLIED, v. 10, n. 4, OCT 17 2018. Citações Web of Science: 0. (18/01808-5, 16/10668-7)
AL MASHARY, FAISAL S.; DE CASTRO, SUELEN; DA SILVA, ARLON FERNANDO; FELIX, JORLANDIO FRANCISCO; PITON, MARCELO RIZZO; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; GOBATO, YARA GALVAO; AL SAQRI, NOOR; HENINI, MOHAMED; et al. Effect of growth techniques on the structural, optical and electrical properties of indium doped TiO2 thin films. Journal of Alloys and Compounds, v. 766, p. 194-203, OCT 25 2018. Citações Web of Science: 6. (14/50513-7, 16/10668-7)
MONDAL, SANJIB; GHOSH, ANUPAM; RIZZO PITON, M.; GOMES, JOAQUIM P.; FELIX, JORLANDIO F.; GALVAO GOBATO, Y.; AVANCO GALETI, H. V.; CHOUDHURI, B.; DWIVEDI, S. M. M. DHAR; HENINI, M.; et al. Investigation of optical and electrical properties of erbium-doped TiO2 thin films for photodetector applications. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, v. 29, n. 22, p. 19588-19600, NOV 2018. Citações Web of Science: 3. (16/10668-7)
BALANTA, M. A. G.; DE OLIVEIRA, P. B. A.; ALBALAWI, H.; GALVAO GOBATO, Y.; GALETI, H. V. A.; RODRIGUES, A. D.; HENINI, M.; ALMOSNI, S.; ROBERT, C.; BALOCCHI, A.; et al. Effects of nitrogen incorporation and thermal annealing on the optical and spin properties of GaPN dilute nitride alloys. Journal of Alloys and Compounds, v. 814, JAN 25 2020. Citações Web of Science: 1. (14/50513-7, 16/10668-7)
GALETI, H. V. A.; GALVAO GOBATO, Y.; BRASIL, M. J. S. P.; TAYLOR, D.; HENINI, M.. Voltage- and Light-Controlled Spin Properties of a Two-Dimensional Hole Gas in p-Type GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, v. 47, n. 3, p. 1780-1785, MAR 2018. Citações Web of Science: 0. (16/10668-7, 12/24055-6)
LEMINE, O. M.; ALKAOUD, A.; AVANCO GALETI, H. V.; GORDO, V. ORSI; GOBATO, Y. GALVAO; BOUZID, HOUCINE; HAJRY, A.; HENINI, M.. Thermal annealing effects on the optical and structural properties of (100) GaAs1-xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, v. 65, p. 48-55, JAN 2014. Citações Web of Science: 14. (12/24055-6)
CARVALHO, A. R. H.; GORDO, V. ORSI; GALETI, H. V. A.; GOBATO, Y. GALVAO; DE GODOY, M. P. F.; KUDRAWIEC, R.; LEMINE, O. M.; HENINI, M.. Magneto-optical properties of GaBiAs layers. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 47, n. 7, FEB 19 2014. Citações Web of Science: 9. (12/24055-6)
LOPES-OLIVEIRA, V.; HERVAL, L. K. S.; ORSI GORDO, V.; CESAR, D. F.; DE GODOY, M. P. F.; GALVAO GOBATO, Y.; HENINI, M.; KHATAB, A.; SADEGHI, M.; WANG, S.; et al. Strain and localization effects in InGaAs(N) quantum wells: Tuning the magnetic response. Journal of Applied Physics, v. 116, n. 23, DEC 21 2014. Citações Web of Science: 5. (13/17657-2, 11/17944-6, 12/02655-1, 12/24055-6)
AL SAQRI, NOOR ALHUDA; MONDAL, ANIRUDDHA; FELIX, JORLANDIO FRANCISCO; GOBATO, YARA GALVAO; GORDO, VANESSA ORSI; ALBALAWI, HIND; JAMEEL, DLER; ALGHAMDI, HAIFA; AL MASHARY, FAISAL; TAYLOR, DAVID; et al. Investigation of defects in indium doped TiO2 thin films using electrical and optical techniques. Journal of Alloys and Compounds, v. 698, p. 883-891, MAR 25 2017. Citações Web of Science: 9. (16/10668-7, 12/24055-6)
ORSI GORDO, V.; GALVO GOBATO, Y.; GALETI, H. V. A.; BRASIL, M. J. S. P.; TAYLOR, D.; HENINI, M.. Spin Polarization of Carriers in InGaAs Self-Assembled Quantum Rings Inserted in GaAs-AlGaAs Resonant Tunneling Devices. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, v. 46, n. 7, p. 3851-3856, JUL 2017. Citações Web of Science: 2. (16/07239-7, 12/24055-6)
BALANTA, M. A. G.; KOPACZEK, J.; ORSI GORDO, V.; SANTOS, B. H. B.; RODRIGUES, A. D.; GALETI, H. V. A.; RICHARDS, R. D.; BASTIMAN, F.; DAVID, J. P. R.; KUDRAWIEC, R.; et al. Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBixAs1-x/GaAs multiple quantum wells. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 49, n. 35, SEP 7 2016. Citações Web of Science: 7. (16/07239-7, 14/50513-7, 12/24055-6)
KOIVUSALO, EERO S.; HAKKARAINEN, TEEMU V.; GALETI, HELDER V. A.; GOBATO, YARA G.; DUBROVSKII, VLADIMIR G.; GUINA, MIRCEA D.. Deterministic Switching of the Growth Direction of Self-Catalyzed GaAs Nanowires. Nano Letters, v. 19, n. 1, p. 82-89, JAN 2019. Citações Web of Science: 4. (14/50513-7, 16/10668-7)
BALANTA, M. A. G.; ORSI GORDO, V.; CARVALHO, A. R. H.; PUUSTINEN, J.; ALGHAMDI, H. M.; HENINI, M.; GALETI, H. V. A.; GUINA, M.; GALVAO GOBATO, Y.. Polarization resolved photoluminescence in GaAs1-xBix/GaAs quantum wells. Journal of Luminescence, v. 182, p. 49-52, FEB 2017. Citações Web of Science: 4. (14/50513-7, 12/24055-6)
ORSI GORDO, V.; BALANTA, M. A. G.; GALVAO GOBATO, Y.; COVRE, F. S.; GALETI, H. V. A.; IIKAWA, F.; COUTO, JR., O. D. D.; QU, F.; HENINI, M.; HEWAK, D. W.; et al. Revealing the nature of low-temperature photoluminescence peaks by laser treatment in van der Waals epitaxially grown WS2 monolayers. NANOSCALE, v. 10, n. 10, p. 4807-4815, MAR 14 2018. Citações Web of Science: 7. (16/16365-6, 16/10668-7, 14/50513-7, 12/11382-9)
HAKKARAINEN, TEEMU; PITON, MARCELO RIZZO; FIORDALISO, ELISABETTA MARIA; LESHCHENKO, EGOR D.; KOELLING, SEBASTIAN; BETTINI, JEFFERSON; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; KOIVUSALO, EERO; GOBATO, YARA GALVA; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; et al. Te incorporation and activation as n-type dopant in self-catalyzed GaAs nanowires. PHYSICAL REVIEW MATERIALS, v. 3, n. 8, AUG 5 2019. Citações Web of Science: 0. (18/01808-5, 14/50513-7, 16/10668-7)
SINGH, MOHIT KUMAR; BHUNIA, AMIT; AL HUWAYZ, MARYAM; GOBATO, Y. GALVAO; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Role of interface potential barrier, Auger recombination and temporal coherence in In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dot-based p-i-n light emitting diodes. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 52, n. 9, FEB 27 2019. Citações Web of Science: 0. (18/01808-5, 16/10668-7)
PRANDO, G. A.; ORSI GORDO, V.; PUUSTINEN, J.; HILSKA, J.; ALGHAMDI, H. M.; SOM, G.; GUNES, M.; AKYOL, M.; SOUTO, S.; RODRIGUES, A. D.; et al. Exciton localization and structural disorder of GaAs1-xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 8, AUG 2018. Citações Web of Science: 0. (12/24055-6, 14/50513-7, 16/10668-7)
GUNES, M.; UKELGE, M. O.; DONMEZ, O.; EROL, A.; GUMUS, C.; ALGHAMDI, H.; GALETI, H. V. A.; HENINI, M.; SCHMIDBAUER, M.; HILSKA, J.; et al. Optical properties of GaAs1-xBix/GaAs quantum well structures grown by molecular beam epitaxy on (100) and (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 12, DEC 2018. Citações Web of Science: 0. (14/50513-7, 16/10668-7)
PITON, MARCELO RIZZO; KOIVUSALO, EERO; HAKKARAINEN, TEEMU; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; TALMILA, SOILE; SOUTO, SERGIO; LUPO, DONALD; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, v. 30, n. 33, AUG 16 2019. Citações Web of Science: 1. (18/01808-5, 14/50513-7, 16/10668-7)
TEIXEIRA, MAYARA MONDEGO; GOBATO, YARA GALVA; GRACIA, LOURDES; DA SILVA, LUIS FERNANDO; AVANSI JR, WALDIR; ASSIS, MARCELO; DE OLIVEIRA, REGIANE CRISTINA; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; ANDRES, JUAN; LONGO, ELSON. Towards a white-emitting phosphor Ca10V6O25 based material. Journal of Luminescence, v. 220, APR 2020. Citações Web of Science: 0. (18/01808-5, 13/07296-2)
GALETI, H. V. A.; BEZERRA, A. T.; GALVAO GOBATO, Y.; BRASIL, M. J. S. P.; TAYLOR, D.; HENINI, M.. Optical and electrical control of spin polarization of two-dimensional hole gases in p-type resonant tunnelling devices. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 46, n. 50, DEC 18 2013. Citações Web of Science: 1. (12/24055-6)
AWAN, I. T.; GALETI, H. V. A.; GALVAO GOBATO, Y.; BRASIL, M. J. S. P.; TAYLOR, D.; HENINI, M.. Effects of Be acceptors on the spin polarization of carriers in p-i-n resonant tunneling diodes. Journal of Applied Physics, v. 116, n. 5, AUG 7 2014. Citações Web of Science: 0. (11/20985-6, 12/24055-6)
RODRIGUES, D. H.; BRASIL, M. J. S. P.; ORLITA, M.; KUNC, J.; GALETI, H. V. A.; HENINI, M.; TAYLOR, D.; GALVAO GOBATO, Y.. Hole spin injection from a GaMnAs layer into GaAs-AlAs-InGaAs resonant tunneling diodes. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 49, n. 16, APR 27 2016. Citações Web of Science: 0. (14/50513-7, 12/24055-6)
ARAUJO E NOBREGA, J.; ORSI GORDO, V.; GALETI, H. V. A.; GALVAO GOBATO, Y.; BRASIL, M. J. S. P.; TAYLOR, D.; ORLITA, M.; HENINI, M.. Spin polarization of carriers in resonant tunneling devices containing InAs self-assembled quantum dots. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, v. 88, p. 574-581, DEC 2015. Citações Web of Science: 2. (12/24055-6)
DE HERVAL, L. K. S.; ARSLANLAR, Y. TUNCER; AYVACIKLI, M.; IIKAWA, F.; NOBREGA, J. A.; PIZANI, P. S.; GALVAO GOBATO, Y.; CAN, N.; HENINI, M.; DE GODOY, M. P. F.. Enhancement of the luminescence intensity by co-doping Mn2+ into Er3+-doped SrAl2O4. Journal of Luminescence, v. 163, p. 17-20, JUL 2015. Citações Web of Science: 6. (13/17657-2, 12/24055-6)
GORDO, V. ORSI; ARSLANLI, Y. TUNCER; CANIMOGLU, A.; AYVACIKLI, M.; GOBATO, Y. GALVAO; HENINI, M.; CAN, N.. Visible to infrared low temperature luminescence Er3+, Nd3+ and Sm3+ in CaSnO3 phosphors. Applied Radiation and Isotopes, v. 99, p. 69-76, MAY 2015. Citações Web of Science: 10. (13/17657-2, 12/24055-6)
GALETI, H. V. A.; BRASIL, M. J. S. P.; GALVAO GOBATO, Y.; HENINI, M.. Voltage controlled electron spin dynamics in resonant tunnelling devices. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 47, n. 16, APR 25 2014. Citações Web of Science: 1. (11/20985-6, 12/24055-6)
BHUNIA, AMIT; SINGH, MOHIT KUMAR; GALVAO GOBATO, Y.; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Experimental evidences of quantum confined 2D indirect excitons in single barrier GaAs/AlAs/GaAs heterostructure using photocapacitance at room temperature. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 4, JAN 28 2018. Citações Web of Science: 1. (16/10668-7)
GUNES, M.; ERKEN, O.; GUMUS, C.; YALAZ, E.; PESEN, E.; UKELGE, M. O.; ARPAPAY, B.; SERINCAN, U.; DADAY, M. TAYKURT; GOBATO, Y. GALVAO; et al. A comparative photoluminescence study on Mn-Free GaAs/AlAs and Mn-containing Ga1-xMnxAs/AlAs quantum wells (QWs) grown on various orientations by MBE. PHILOSOPHICAL MAGAZINE, v. 96, n. 3, p. 223-229, JAN 22 2016. Citações Web of Science: 2. (12/24055-6)
GUNES, MUSTAFA; GUMUS, CEBRAIL; GOBATO, YARA GALVAO; HENINI, MOHAMED. Structural and optical properties of diluted magnetic Ga1-xMnxAs-AlAs quantum wells grown on high-index GaAs planes. BULLETIN OF MATERIALS SCIENCE, v. 40, n. 7, p. 1355-1359, DEC 2017. Citações Web of Science: 0. (12/24055-6)
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