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Yara Galvão Gobato

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Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET)  (Instituição-sede da última proposta de pesquisa)
País de origem: Brasil

Possui graduação em Física pela Universidade de São Paulo (1986), mestrado em Física pela Universidade de São Paulo (1989) e doutorado em Physique - Ecole Normale Superieurie (1993). Realizou 3 pós-doutorados sendo um na Ecole Normale Superieure na França, outro no Brasil (IFGW-UNICAMP) e recentemente no Laboratório de Altos Campos Magnéticos na Radboud University (Holanda) . É professor associado no Departamento de Física da Universidade Federal de São Carlos .Tem experiência na área de Física, com ênfase em Estados Eletrônicos, atuando principalmente nos seguintes temas: materiais/dispositivos semicondutores baseados em sistemas III-V, óxidos , polímeros, materiais semicondutores para aplicações em optoeletrônica e células solares. A pesquisadora atua também com grande ênfase na área nanociência e nanotecnologia com projetos em propriedades óticas e de transporte de materiais/dispositivos semicondutores tais como pontos quânticos, nanofios quânticos , sistemas semicondutores bidimensionais (2D) e etc. (Fonte: Currículo Lattes)

Auxílios à pesquisa
Bolsas no país
Bolsas no Exterior
Apoio FAPESP em números * Quantidades atualizadas em 28/03/2020
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Palavras-chave utilizadas pelo pesquisador
Publicações resultantes de Auxílios e Bolsas sob responsabilidade do(a) pesquisador(a) (31)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

Publicações31
Citações95
Cit./Artigo3,1
Dados do Web of Science

PITON, MARCELO RIZZO; HAKKARAINEN, TEEMU; HILSKA, JOONAS; KOIVUSALO, EERO; LUPO, DONALD; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Optimization of Ohmic Contacts to p-GaAs Nanowires. NANOSCALE RESEARCH LETTERS, v. 14, n. 1, . Citações Web of Science: 0. (14/50513-7, 16/10668-7)

BHUNIA, AMIT; SINGH, MOHIT KUMAR; GOBATO, Y. GALVAO; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Experimental Detection and Control of Trions and Fermi-Edge Singularity in Single-Barrier GaAs/AlAs/GaAs Heterostructures Using Photocapacitance Spectroscopy. PHYSICAL REVIEW APPLIED, v. 10, n. 4, . Citações Web of Science: 0. (18/01808-5, 16/10668-7)

AL MASHARY, FAISAL S.; DE CASTRO, SUELEN; DA SILVA, ARLON FERNANDO; FELIX, JORLANDIO FRANCISCO; PITON, MARCELO RIZZO; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; GOBATO, YARA GALVAO; AL SAQRI, NOOR; HENINI, MOHAMED; et al. Effect of growth techniques on the structural, optical and electrical properties of indium doped TiO2 thin films. Journal of Alloys and Compounds, v. 766, p. 194-203, . Citações Web of Science: 6. (14/50513-7, 16/10668-7)

MONDAL, SANJIB; GHOSH, ANUPAM; RIZZO PITON, M.; GOMES, JOAQUIM P.; FELIX, JORLANDIO F.; GALVAO GOBATO, Y.; AVANCO GALETI, H. V.; CHOUDHURI, B.; DWIVEDI, S. M. M. DHAR; HENINI, M.; et al. Investigation of optical and electrical properties of erbium-doped TiO2 thin films for photodetector applications. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, v. 29, n. 22, p. 19588-19600, . Citações Web of Science: 3. (16/10668-7)

BALANTA, M. A. G.; DE OLIVEIRA, P. B. A.; ALBALAWI, H.; GALVAO GOBATO, Y.; GALETI, H. V. A.; RODRIGUES, A. D.; HENINI, M.; ALMOSNI, S.; ROBERT, C.; BALOCCHI, A.; et al. Effects of nitrogen incorporation and thermal annealing on the optical and spin properties of GaPN dilute nitride alloys. Journal of Alloys and Compounds, v. 814, . Citações Web of Science: 1. (14/50513-7, 16/10668-7)

GALETI, H. V. A.; GALVAO GOBATO, Y.; BRASIL, M. J. S. P.; TAYLOR, D.; HENINI, M.. Voltage- and Light-Controlled Spin Properties of a Two-Dimensional Hole Gas in p-Type GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, v. 47, n. 3, p. 1780-1785, . Citações Web of Science: 0. (16/10668-7, 12/24055-6)

LEMINE, O. M.; ALKAOUD, A.; AVANCO GALETI, H. V.; GORDO, V. ORSI; GOBATO, Y. GALVAO; BOUZID, HOUCINE; HAJRY, A.; HENINI, M.. Thermal annealing effects on the optical and structural properties of (100) GaAs1-xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, v. 65, p. 48-55, . Citações Web of Science: 14. (12/24055-6)

CARVALHO, A. R. H.; GORDO, V. ORSI; GALETI, H. V. A.; GOBATO, Y. GALVAO; DE GODOY, M. P. F.; KUDRAWIEC, R.; LEMINE, O. M.; HENINI, M.. Magneto-optical properties of GaBiAs layers. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 47, n. 7, . Citações Web of Science: 9. (12/24055-6)

LOPES-OLIVEIRA, V.; HERVAL, L. K. S.; ORSI GORDO, V.; CESAR, D. F.; DE GODOY, M. P. F.; GALVAO GOBATO, Y.; HENINI, M.; KHATAB, A.; SADEGHI, M.; WANG, S.; et al. Strain and localization effects in InGaAs(N) quantum wells: Tuning the magnetic response. Journal of Applied Physics, v. 116, n. 23, . Citações Web of Science: 5. (13/17657-2, 11/17944-6, 12/02655-1, 12/24055-6)

AL SAQRI, NOOR ALHUDA; MONDAL, ANIRUDDHA; FELIX, JORLANDIO FRANCISCO; GOBATO, YARA GALVAO; GORDO, VANESSA ORSI; ALBALAWI, HIND; JAMEEL, DLER; ALGHAMDI, HAIFA; AL MASHARY, FAISAL; TAYLOR, DAVID; et al. Investigation of defects in indium doped TiO2 thin films using electrical and optical techniques. Journal of Alloys and Compounds, v. 698, p. 883-891, . Citações Web of Science: 9. (16/10668-7, 12/24055-6)

ORSI GORDO, V.; GALVO GOBATO, Y.; GALETI, H. V. A.; BRASIL, M. J. S. P.; TAYLOR, D.; HENINI, M.. Spin Polarization of Carriers in InGaAs Self-Assembled Quantum Rings Inserted in GaAs-AlGaAs Resonant Tunneling Devices. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, v. 46, n. 7, p. 3851-3856, . Citações Web of Science: 2. (16/07239-7, 12/24055-6)

BALANTA, M. A. G.; KOPACZEK, J.; ORSI GORDO, V.; SANTOS, B. H. B.; RODRIGUES, A. D.; GALETI, H. V. A.; RICHARDS, R. D.; BASTIMAN, F.; DAVID, J. P. R.; KUDRAWIEC, R.; et al. Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBixAs1-x/GaAs multiple quantum wells. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 49, n. 35, . Citações Web of Science: 7. (16/07239-7, 14/50513-7, 12/24055-6)

KOIVUSALO, EERO S.; HAKKARAINEN, TEEMU V.; GALETI, HELDER V. A.; GOBATO, YARA G.; DUBROVSKII, VLADIMIR G.; GUINA, MIRCEA D.. Deterministic Switching of the Growth Direction of Self-Catalyzed GaAs Nanowires. Nano Letters, v. 19, n. 1, p. 82-89, . Citações Web of Science: 4. (14/50513-7, 16/10668-7)

BALANTA, M. A. G.; ORSI GORDO, V.; CARVALHO, A. R. H.; PUUSTINEN, J.; ALGHAMDI, H. M.; HENINI, M.; GALETI, H. V. A.; GUINA, M.; GALVAO GOBATO, Y.. Polarization resolved photoluminescence in GaAs1-xBix/GaAs quantum wells. Journal of Luminescence, v. 182, p. 49-52, . Citações Web of Science: 4. (14/50513-7, 12/24055-6)

ORSI GORDO, V.; BALANTA, M. A. G.; GALVAO GOBATO, Y.; COVRE, F. S.; GALETI, H. V. A.; IIKAWA, F.; COUTO, JR., O. D. D.; QU, F.; HENINI, M.; HEWAK, D. W.; et al. Revealing the nature of low-temperature photoluminescence peaks by laser treatment in van der Waals epitaxially grown WS2 monolayers. NANOSCALE, v. 10, n. 10, p. 4807-4815, . Citações Web of Science: 7. (16/16365-6, 16/10668-7, 14/50513-7, 12/11382-9)

HAKKARAINEN, TEEMU; PITON, MARCELO RIZZO; FIORDALISO, ELISABETTA MARIA; LESHCHENKO, EGOR D.; KOELLING, SEBASTIAN; BETTINI, JEFFERSON; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; KOIVUSALO, EERO; GOBATO, YARA GALVA; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; et al. Te incorporation and activation as n-type dopant in self-catalyzed GaAs nanowires. PHYSICAL REVIEW MATERIALS, v. 3, n. 8, . Citações Web of Science: 0. (18/01808-5, 14/50513-7, 16/10668-7)

SINGH, MOHIT KUMAR; BHUNIA, AMIT; AL HUWAYZ, MARYAM; GOBATO, Y. GALVAO; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Role of interface potential barrier, Auger recombination and temporal coherence in In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dot-based p-i-n light emitting diodes. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 52, n. 9, . Citações Web of Science: 0. (18/01808-5, 16/10668-7)

PRANDO, G. A.; ORSI GORDO, V.; PUUSTINEN, J.; HILSKA, J.; ALGHAMDI, H. M.; SOM, G.; GUNES, M.; AKYOL, M.; SOUTO, S.; RODRIGUES, A. D.; et al. Exciton localization and structural disorder of GaAs1-xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 8, . Citações Web of Science: 0. (12/24055-6, 14/50513-7, 16/10668-7)

GUNES, M.; UKELGE, M. O.; DONMEZ, O.; EROL, A.; GUMUS, C.; ALGHAMDI, H.; GALETI, H. V. A.; HENINI, M.; SCHMIDBAUER, M.; HILSKA, J.; et al. Optical properties of GaAs1-xBix/GaAs quantum well structures grown by molecular beam epitaxy on (100) and (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 12, . Citações Web of Science: 0. (14/50513-7, 16/10668-7)

PITON, MARCELO RIZZO; KOIVUSALO, EERO; HAKKARAINEN, TEEMU; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; TALMILA, SOILE; SOUTO, SERGIO; LUPO, DONALD; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, v. 30, n. 33, . Citações Web of Science: 1. (18/01808-5, 14/50513-7, 16/10668-7)

TEIXEIRA, MAYARA MONDEGO; GOBATO, YARA GALVA; GRACIA, LOURDES; DA SILVA, LUIS FERNANDO; AVANSI JR, WALDIR; ASSIS, MARCELO; DE OLIVEIRA, REGIANE CRISTINA; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; ANDRES, JUAN; LONGO, ELSON. Towards a white-emitting phosphor Ca10V6O25 based material. Journal of Luminescence, v. 220, . Citações Web of Science: 0. (18/01808-5, 13/07296-2)

GALETI, H. V. A.; BEZERRA, A. T.; GALVAO GOBATO, Y.; BRASIL, M. J. S. P.; TAYLOR, D.; HENINI, M.. Optical and electrical control of spin polarization of two-dimensional hole gases in p-type resonant tunnelling devices. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 46, n. 50, . Citações Web of Science: 1. (12/24055-6)

AWAN, I. T.; GALETI, H. V. A.; GALVAO GOBATO, Y.; BRASIL, M. J. S. P.; TAYLOR, D.; HENINI, M.. Effects of Be acceptors on the spin polarization of carriers in p-i-n resonant tunneling diodes. Journal of Applied Physics, v. 116, n. 5, . Citações Web of Science: 0. (11/20985-6, 12/24055-6)

RODRIGUES, D. H.; BRASIL, M. J. S. P.; ORLITA, M.; KUNC, J.; GALETI, H. V. A.; HENINI, M.; TAYLOR, D.; GALVAO GOBATO, Y.. Hole spin injection from a GaMnAs layer into GaAs-AlAs-InGaAs resonant tunneling diodes. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 49, n. 16, . Citações Web of Science: 0. (14/50513-7, 12/24055-6)

ARAUJO E NOBREGA, J.; ORSI GORDO, V.; GALETI, H. V. A.; GALVAO GOBATO, Y.; BRASIL, M. J. S. P.; TAYLOR, D.; ORLITA, M.; HENINI, M.. Spin polarization of carriers in resonant tunneling devices containing InAs self-assembled quantum dots. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, v. 88, p. 574-581, . Citações Web of Science: 2. (12/24055-6)

DE HERVAL, L. K. S.; ARSLANLAR, Y. TUNCER; AYVACIKLI, M.; IIKAWA, F.; NOBREGA, J. A.; PIZANI, P. S.; GALVAO GOBATO, Y.; CAN, N.; HENINI, M.; DE GODOY, M. P. F.. Enhancement of the luminescence intensity by co-doping Mn2+ into Er3+-doped SrAl2O4. Journal of Luminescence, v. 163, p. 17-20, . Citações Web of Science: 6. (13/17657-2, 12/24055-6)

GORDO, V. ORSI; ARSLANLI, Y. TUNCER; CANIMOGLU, A.; AYVACIKLI, M.; GOBATO, Y. GALVAO; HENINI, M.; CAN, N.. Visible to infrared low temperature luminescence Er3+, Nd3+ and Sm3+ in CaSnO3 phosphors. Applied Radiation and Isotopes, v. 99, p. 69-76, . Citações Web of Science: 10. (13/17657-2, 12/24055-6)

GALETI, H. V. A.; BRASIL, M. J. S. P.; GALVAO GOBATO, Y.; HENINI, M.. Voltage controlled electron spin dynamics in resonant tunnelling devices. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 47, n. 16, . Citações Web of Science: 1. (11/20985-6, 12/24055-6)

BHUNIA, AMIT; SINGH, MOHIT KUMAR; GALVAO GOBATO, Y.; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Experimental evidences of quantum confined 2D indirect excitons in single barrier GaAs/AlAs/GaAs heterostructure using photocapacitance at room temperature. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 4, . Citações Web of Science: 1. (16/10668-7)

GUNES, M.; ERKEN, O.; GUMUS, C.; YALAZ, E.; PESEN, E.; UKELGE, M. O.; ARPAPAY, B.; SERINCAN, U.; DADAY, M. TAYKURT; GOBATO, Y. GALVAO; et al. A comparative photoluminescence study on Mn-Free GaAs/AlAs and Mn-containing Ga1-xMnxAs/AlAs quantum wells (QWs) grown on various orientations by MBE. PHILOSOPHICAL MAGAZINE, v. 96, n. 3, p. 223-229, . Citações Web of Science: 2. (12/24055-6)

GUNES, MUSTAFA; GUMUS, CEBRAIL; GOBATO, YARA GALVAO; HENINI, MOHAMED. Structural and optical properties of diluted magnetic Ga1-xMnxAs-AlAs quantum wells grown on high-index GaAs planes. BULLETIN OF MATERIALS SCIENCE, v. 40, n. 7, p. 1355-1359, . Citações Web of Science: 0. (12/24055-6)

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