Busca avançada
Ano de início
Entree

Ines Pereyra

CV Lattes GoogleMyCitations


Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP)  (Instituição-sede da última proposta de pesquisa)
País de origem: Argentina

Graduada em Física pela Universidad de Buenos Aires em 1973, é PhD - Physics pela Universidade de Delaware (1980). Fez pós-doutorado no Institute of Energy Conversion da Universidade de Delaware entre 1981-1982. Atualmente é professor titular da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, onde fundou e lidera até hoje, o Grupo de Novos Materiais e Dispositivos, onde coordena pesquisas envolvendo a obtenção e propriedades de Novos Materiais dielétricos e semicondutores obtidos por PECVD e "Sputtering" e pelo desenvolvimento de dispositivos semicondutores, como capacitores e transistores MOS e de Filme Fino (TFT's). Na atualidade é Coordenadora Geral do Laboratório de Microeletrônica (LME) da Escola Politécnica da USP, e também Vice chefe do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da EPUSP. (Fonte: Currículo Lattes)

Auxílios à pesquisa
Bolsas no país
Apoio FAPESP em números * Quantidades atualizadas em 07/12/2019
Colaboradores mais frequentes em auxílios e bolsas FAPESP
Contate o Pesquisador

Este canal da BV/FAPESP deve ser utilizado tão somente para mensagens, referentes aos projetos científicos financiados pela FAPESP.


 

 

 

 

Publicações resultantes de Auxílios e Bolsas sob responsabilidade do(a) pesquisador(a) (5)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

PublicaçõesNone
CitaçõesNone
Cit./ArtigoNone
Dados do Web of Science

NEISY A. E. FORHAN; MÁRCIA C. A. FANTINI; INÉS PEREYRA. Characterization of Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication. Journal of the Brazilian Chemical Society, v. 17, n. 6, p. 1158-1162, .

OLIVEIRA‚ RAR; RIBEIRO‚ M.; PEREYRA‚ I.; ALAYO‚ MI. Silicon clusters in PECVD silicon-rich SiO< sub> x N< sub> y. MATERIALS CHARACTERIZATION, v. 50, n. 2, p. 161-166, .

SCOPEL‚ WL; FANTINI‚ MCA; ALAYO‚ MI; PEREYRA‚ I.. Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films. Thin Solid Films, v. 425, n. 1, p. 275-281, .

K.F ALBERTIN; I PEREYRA. One step a-Si: H TFT'S with PECVD SiOxNy gate insulator. REVISTA MEXICANA DE FISICA, v. 52, p. 83-85, .

GARCIA‚ B.; ESTRADA‚ M.; ALBERTIN‚ KF; CARREÑO‚ MNP; PEREYRA‚ I.; RESENDIZ‚ L.. Amorphous and excimer laser annealed SiC films for TFT fabrication. Solid-State Electronics, v. 50, n. 2, p. 241-247, .

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

SOUZA, Denise Criado Pereira de. Estudo e produção de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) pela técnica de PECVD.. 2003. Dissertação (Mestrado) - Escola Politécnica. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo.

PELEGRINI, Marcus Vinicius. Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (Ba0,5Sr0,5(TiO3)) visando a sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ.. 2016. Tese (Doutorado) – Escola Politécnica. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo.

SOUZA, Denise Criado Pereira de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD.. 2007. Tese (Doutorado) – Escola Politécnica. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo.

PELEGRINI, Marcus Vinicius. Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS.. 2010. Dissertação (Mestrado) - Escola Politécnica. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo.

Por favor, reporte erros na informação da página do pesquisador escrevendo para: cdi@fapesp.br.
X

Reporte um problema na página


Detalhes do problema: