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Robert Luis González Romero

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Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW)  (Instituição-sede da última proposta de pesquisa)
País de origem: Cuba

Robert Luis González Romero em auxílios à pesquisa e bolsas apoiadas pela FAPESP.

Bolsas no país
Apoio FAPESP em números * Quantidades atualizadas em 17/08/2019
1 Bolsas no país concluídas

Processos vinculados
Colaboradores mais frequentes em auxílios e bolsas FAPESP
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Palavras-chave utilizadas pelo pesquisador
Publicações resultantes de Auxílios e Bolsas sob responsabilidade do(a) pesquisador(a) (5)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

Publicações5
Citações28
Cit./Artigo5,6
Dados do Web of Science

GONZALEZ-ROMERO, ROBERT L.; MIRANDA, CAETANO R.; AVILA, MARCOS A.; ANTONELLI, ALEX. Hosting of La3+ guest ions in type-I Ge clathrates: A first-principles characterization for thermoelectric applications. COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, v. 122, p. 46-56, . Citações Web of Science: 2. (10/16970-0, 12/17562-9, 13/14065-7, 11/19924-2, 13/08293-7)

GONZALEZ-ROMERO, ROBERT L.; ANTONELLI, ALEX; MELENDEZ, JUAN J.. Insights into the thermoelectric properties of SnSe from ab initio calculations. Physical Chemistry Chemical Physics, v. 19, n. 20, p. 12804-12815, . Citações Web of Science: 15. (13/08293-7, 13/14065-7)

GONZALEZ-ROMERO, ROBERT L.; ANTONELLI, ALEX; CHAVES, ANDERSON S.; MELENDEZ, JUAN J.. Ultralow and anisotropic thermal conductivity in semiconductor As2Se3. Physical Chemistry Chemical Physics, v. 20, n. 3, p. 1809-1816, . Citações Web of Science: 5. (13/08293-7, 15/26434-2, 13/14065-7)

MELENDEZ, JUAN J.; GONZALEZ-ROMERO, ROBERT L.; ANTONELLI, ALEX. Quasiparticle bands and optical properties of SnSe from an ab initio approach. COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, v. 152, p. 107-112, . Citações Web of Science: 1. (13/08293-7, 13/14065-7)

GONZALEZ-ROMERO, ROBERT L.; ANTONELLI, A.. Estimating carrier relaxation times in the Ba8Ga16Ge30 clathrate in the extrinsic regime. Physical Chemistry Chemical Physics, v. 19, n. 4, p. 3010-3018, . Citações Web of Science: 5. (13/08293-7, 13/14065-7)

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