Resumo
Os transistores MOS com múltiplas portas constituem uma promissora alternativa para solucionar os problemas decorrentes da contínua redução das dimensões dos trasistores MOS, devido às excelentes melhoras no desempenho dos dispositivos MOS com dimensões extremamente submicrométricas (deep-submicrometer), com comprimentos de canal inferiores a 14 nm, ocasionada pelo excelente controle das …