Resumo
O uso de materiais antiferromagnéticos (AFM) como camada ativa em dispositivos spintrônicos foi recentemente demonstrado através do fenômeno da magnetorresistência túnel anisotrópica (TAMR). Materiais com ordenamento antiferromagnético não geram campos espúrios, são praticamente insensíveis a perturbações externas e exibem dinâmica de magnetização ultrarrápida, características que impulsi…