possui doutorado em Física de Estado Sólido pelo Instituto de Física de Semicondutores (1985). Atualmente é professor associado da Universidade de São Paulo, Coordenador do Grupo de Semicondutores do FCM/IFSC/USP. Estágio de pós-doutoramento sob orientação do Prof. M.Cardona, como bolsista da FUNDAÇÃO ALEXANDER VON HUMBOLDT no Max Planck Institute, Stuttgart, (Alemanha). Área de atividade: Espectroscopia Raman em Sistemas Semicondutores de baixa dimensionalidade (1/10/1987 a 31/12/1988). Estágio de pós-doutoramento sob orientação do Prof. P.Grosse, como bolsista da FUNDAÇÃO ALEXANDER VON HUMBOLDT no Physik Institut der RWTH, Aachen (Alemanha). Área de atividade: magnetotransporte e Espectroscopia Raman em sistemas semicondutores de baixa dimensionalidade. Tem experiência na área de Física, com ênfase em Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part., atuando principalmente nos seguintes temas: espalhamento Raman, fotoluminescência, sistemas eletrônicos desordenados e correlacionados, super-redes, magneto-transpore, pontos quânticos, efeito Hall quântico. h-index 15. (Fonte: Currículo Lattes)
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O presente Projeto dá continuidade a Temáticos anteriores (Processos FAPESP 99/10359-7, 07/50968-0 e 2015/16191-5) cuja finalidade principal era estudar as propriedades físicas de novos materiais sob a influência de campos magnéticos intensos e baixas temperaturas. O Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) e o Laboratório de Estado Sólido e Baixas Temperaturas (LESBT) do Depa…
A difusão de buracos fotoexcitados será estudada por meio de uma microscopia de varredura por fotocorrente realizada em um canal mesoscópico formado em um poço quântico de GaAs de alta mobilidade onde os elétrons revelam propriedades hidrodinâmicas. Deste modo, a difusão dos buracos minoritários será investigada dentro do fluido viscoso dos elétrons majoritários. O tempo de recombinação e…
A presente proposta de projeto Temático dá continuidade a pesquisas em novos materiais envolvendo campos magnéticos intensos e temperaturas muito baixas, realizadas no âmbito do Temático anterior (Proc. 07/50968-0 da FAPESP), terminado em 30 de maio de 2014. O Laboratório de Novos Materiais Semicondutores e Laboratório de Estado Sólido e Baixas Temperaturas (LESBT) do Departamento de Físi…
Os sistemas eletrônicos multicomponentes formados em hetero-estruturas semicondutores unidimensionais (nano fios) e quasetridimensionais (poços quânticos múltiplos) serão investigados. Principalmente, o método de estudo de respostas ópticas de poços quânticos individuais de um sistema multicomponente, desenvolvido nos nossos trabalhos recentes, será usado. Utilizando medidas de espalhamen…
O projeto é dedicado ao estudo de processos envolvidos em fabricação de dispositivos semicondutores, tais como foto-litografia, ataque químico e preparação de contatos ôhmicos. Estes processos são considerados como uma parte da tecnologia "planar". Usando este procedimento vamos preparar estruturas à serem usadas em estudo de propriedades de transporte eletrônico em sistemas de baixa dime…
Os sistemas eletrônicos multicomponentes formados em heteroestruturas semicondutores unidimensionais (nanofios) e tridimensionais (poços quânticos múltiplos) de GaAs/AlGaAs, GaAs/GaP e InAs/InP crescidas por epitaxia de feixes moleculares serão investigados. Utilizando medidas de magneto-fotoluminescência e de magneto-transporte planejamos estudar as propriedades estruturais e eletrônicas…
Usando medidas de fotoluminescência em campo magnético alto planejamos estudar as excitações une-partículas (elétrons) em vários sistemas eletrônicos desordenados de baixa dimensionalidade, tais como fios quânticos, poços quânticos, sistemas multicamadas (bicamadas e multicamadas) baseados em hetero-estruturas semicondutoras GaAs/AIGaAs, InGaAs/InP e GaAsP/GaP. O objetivo do projeto é des…
CV Lattes
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