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Renan Trevisoli Doria

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Ministério da Educação (Brasil). Universidade Federal do ABC (UFABC). Centro de Engenharia, Modelagem e Ciências Sociais Aplicadas (CECS)  (Instituição-sede da última proposta de pesquisa)
País de origem: Brasil

Graduou-se em Engenharia Elétrica pelo Centro Universitário da FEI em 2007, recebendo o 'Prêmio CREA-SP de Formação Profissional' e o 'Prêmio Instituto de Engenharia'. Em 2010, recebeu o título de Mestre em Engenharia Elétrica na área de dispositivos eletrônicos integrados pelo Centro Universitário FEI. Em 2013, recebeu o título de Doutor em Ciências pela Escola Politécnica da Universidade de São Paulo na área de Microeletrônica. Em 2012, realizou estágio de pesquisa no Tyndall National Institute, University College Cork, Irlanda, onde trabalhou na caracterização elétrica e modelagem de dispositivos MOS sem junções. Pelo seu trabalho de Doutorado recebeu Menção Honrosa no Prêmio Capes de Tese, Menção Honrosa no Prêmio Tese Destaque USP e o prêmio '2º Concurso de Teses e Dissertações da SBMicro - CEITEC S.A.' na categoria 'Tecnologia e Processo de Fabricação de Semicondutores', promovido pela Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Também recebeu o prêmio 'Region 9 Biennial Outstanding Student Paper Award', destinado ao melhor artigo da América Latina publicado por um aluno em evento ou periódico patrocinado pelo IEEE no biênio 2012/2013. Realizou Pós-Doutorado no Centro Universitário FEI entre 2014 e 2017, atuando principalmente na caracterização elétrica, modelagem e simulação de dispositivos semicondutores. Foi Professor Visitante na Universidade Federal do ABC (UFABC) entre 2018 e 2020. Atualmente, é Professor no Insper na disciplina de Elementos de Sistemas, nos cursos de engenharia da PUC-SP e Pesquisador Colaborador na UFABC na área de RF energy harvesting e células solares. (Fonte: Currículo Lattes)

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Palavras-chave utilizadas pelo pesquisador
Publicações resultantes de Auxílios e Bolsas sob responsabilidade do(a) pesquisador(a) (10)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

Publicações10
Citações28
Cit./Artigo2,8
Dados do Web of Science

DORIA, RODRIGO T.; FLANDRE, DENIS; TREVISOLI, RENAN; DE SOUZA, MICHELLY; PAVANELLO, MARCELO A.. Effect of the back bias on the analog performance of standard FD and UTBB transistors-based self-cascode structures. Semiconductor Science and Technology, v. 32, n. 9, . Citações Web of Science: 1. (14/18041-8)

TREVISOLI, RENAN; DORIA, RODRIGO TREVISOLI; DE SOUZA, MICHELLY; PAVANELLO, MARCELO ANTONIO. Extraction of the interface trap density energetic distribution in SOI Junctionless Nanowire Transistors. MICROELECTRONIC ENGINEERING, v. 147, p. 23-26, . Citações Web of Science: 3. (14/18041-8)

PAVANELLO, MARCELO ANTONIO; TREVISOLI, RENAN; DORIA, RODRIGO TREVISOLI; DE SOUZA, MICHELLY. Static and dynamic compact analytical model for junctionless nanowire transistors. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. 30, n. 33, . Citações Web of Science: 3. (14/18041-8)

TREVISOLI, RENAN; DORIA, RODRIGO TREVISOLI; BARRAUD, SYLVAIN; PAVANELLO, MARCELO ANTONIO. Modeling the interface traps-related low frequency noise in triple-gate SOI junctionless nanowire transistors. MICROELECTRONIC ENGINEERING, v. 215, . Citações Web of Science: 0. (14/18041-8)

TREVISOLI, RENAN; DORIA, RODRIGO TREVISOLI; DE SOUZA, MICHELLY; BARRAUD, SYLVAIN; VINET, MAUD; CASSE, MIKAEL; REIMBOLD, GILLES; FAYNOT, OLIVIER; GHIBAUDO, GERARD; PAVANELLO, MARCELO ANTONIO. A New Method for Series Resistance Extraction of Nanometer MOSFETs. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, v. 64, n. 7, p. 2797-2803, . Citações Web of Science: 4. (14/18041-8)

DE SOUZA, MICHELLY; DORIA, RODRIGO T.; TREVISOLI, RENAN; BARRAUD, SYLVAIN; PAVANELLO, MARCELO A.. On the Application of Junctionless Nanowire Transistors in Basic Analog Building Blocks. IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, v. 20, p. 234-242, . Citações Web of Science: 0. (14/18041-8, 19/15500-5)

TREVISOLI, RENAN; DE SOUZA, MICHELLY; DORIA, RODRIGO TREVISOLI; KILCHTYSKA, VALERIYA; FLANDRE, DENIS; PAVANELLO, MARCELO ANTONIO. Junctionless nanowire transistors operation at temperatures down to 4.2K. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 11, . Citações Web of Science: 4. (14/18041-8)

TREVISOLI, RENAN; PAVANELLO, MARCELO ANTONIO; CAPOVILLA, CARLOS EDUARDO; BARRAUD, SYLVAIN; DORIA, RODRIGO TREVISOLI. Analytical Model for Low-Frequency Noise in Junctionless Nanowire Transistors. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, v. 67, n. 6, p. 2536-2543, . Citações Web of Science: 0. (14/18041-8)

DORIA, RODRIGO TREVISOLI; TREVISOLI, RENAN; DE SOUZA, MICHELLY; BARRAUD, SYLVAIN; VINET, MAUD; FAYNOT, OLIVIER; PAVANELLO, MARCELO ANTONIO. Analysis of the substrate bias effect on the interface trapped charges in junctionless nanowire transistors through low-frequency noise characterization. MICROELECTRONIC ENGINEERING, v. 178, n. SI, p. 17-20, . Citações Web of Science: 4. (14/18041-8)

TREVISOLI, RENAN; DORIA, RODRIGO TREVISOLI; DE SOUZA, MICHELLY; BARRAUD, SYLVAIN; VINET, MAUD; PAVANELLO, MARCELO ANTONIO. Analytical Model for the Dynamic Behavior of Triple-Gate Junctionless Nanowire Transistors. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, v. 63, n. 2, p. 856-863, . Citações Web of Science: 9. (14/18041-8)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

DORIA, Renan Trevisoli. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções.. Tese (Doutorado) -  Escola Politécnica.  Universidade de São Paulo (USP).  São Paulo.  (10/00537-6

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