Marcos Vinicius Puydinger dos Santos

Desde 2022, Marcos Vinicius Puydinger dos Santos atua como Professor Doutor no Departamento de Eletrônica e Engenharia Biomédica da Faculdade de Engenharia Elétrica e Computação da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). É Bolsista Produtividade em Pesquisa do CNPq (nível C). Graduou-se em Bacharelado em Física (2009) e Bacharelado em Física Aplicada (2012), Mestrado em Engenharia Elétrica (2013) e Doutorado em Engenharia Elétrica (2017) pela UNICAMP. Entre 2015 e 2016 realizou doutorado sanduíche com bolsa do CNPq no Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology (EMPA), Suíça. Posteriormente, foi vencedor do concurso de tese de doutorado da Sociedade Brasileira de Microeletrônica (SBMicro) no ano de 2018. Já atuou como Físico do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS) entre 2009 e 2010 e como Profissional de Pesquisa do Laboratório de Materiais e Baixas Temperaturas do Instituto de Física Gleb Wataghin da Universidade Estadual de Campinas entre 2010 e 2022, desenvolvendo processos de nanofabricação e caracterização de magneto-transporte em dispositivos baseados em nanofios. Atua nas seguintes frentes de pesquisa: I) fabricação e caracterização de nanofios e nanofitas metálicos e compósitos a partir técnicas como eletrodeposição em membranas nanoporosas, nanonucleação por fluxo metálico, deposição induzida por feixe de elétrons (FEBID) e técnicas de litografia; II) materiais e nanofabricação com foco no estudo de semicondutores tensionados mecanicamente (ênfase no efeito da piezoresistência gigante do silício), caracterização do transporte magneto-elétrico em nanofios e nanofitas semicondutoras, fabricação e caracterização de nanocompósitos do tipo metal-carbono por FEBID, tensionamento mecânico em nanofios semicondutores e à base de carbono, sensores físicos/químicos baseados em tecnologia MOS, estudo de filmes finos magnéticos por magnetometria (SQUID), além de processos de fabricação em micro e nanoeletrônica; III) desenvolvimento de instrumentação eletrônica para caracterização de dispositivos de potência (diodos e transistores MOSFET) baseados na tecnologia de carbeto de silício (SiC) para quantificar perdas por comutação. (Fonte: Currículo Lattes)