Resumo
O filme fino de dióxido de silício (SiO2) é utilizado na fabricação de circuitos integrados e capacitores MOS (Metal-Oxído-Semicondutor). Este material pode apresentar problemas como alta corrente de fuga, degradação do tempo de vida do dispositivo e difusão de dopantes quando utilizado como camada dielétrica muito fina, menor que 100 nm. Uma solução para esses problemas é a substituição …