Possui graduação em Licenciatura Plena em Física com mérito acadêmico pela Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" (2012) com bolsa de Iniciação Científica (2011-2012, Processo FAPESP 2010/20460-8), mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais (POSMAT) pela Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" (2013-2015, Processo FAPESP 2012/21239-9), doutorado em Ciência e Tecnologia de Materiais (POSMAT) pela Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" (2015-2019, Processos CAPES 1512822 e 1560672). Durante o doutorado, realizou estágio de pesquisa no exterior (Doutorado Sanduíche) no Institut Néel CNRS/UGA de Grenoble-França (Processo CAPES PDSE 88881.131882/2016-01), pós-doutorado pela Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" (2019-2020, Processo CAPES-PRINT 88887.375016/2019-00). Tem experiência nas áreas de Física e Ciência dos Materiais, atuando nos seguintes temas: arseneto de gálio, dióxido de estanho, európio, monóxido de estanho, filmes finos e transporte elétrico. (Fonte: Currículo Lattes)
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O trabalho envolve a produção e caracterização elétrica e óptica de filmes finos, em etapas distintas. Etapa 1) Deposição de GaAs e SnO2 e Heterojunção GaAs/SnO2 : a) SnO2 dopado com íons terras-raras, depositado via sol-gel-dip-coating, b) GaAs. Será feita a incorporação do dopante terra-rara na matriz do semicondutor óxido (SnO2), onde possuem alta eficiência de emissão, e combinação de…
Produção e caracterização elétrica e óptica de dois tipos de filmes finos: a) SnO2 dopado com íons terras-raras, depositado via sol-gel-dip-coating, b) GaAs, depositado pela técnica de evaporação resistiva. Numa segunda etapa os filmes de GaAs serão depositados sobre os filmes de dióxido de estanho, visando combinar três aspectos fundamentais: 1) incorporação do terra-rara na matriz do se…
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