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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Charge transition levels of Mn-doped Si calculated with the GGA-1/2 method

Texto completo
Autor(es):
Matusalem, Filipe [1] ; Pela, Ronaldo R. [1] ; Marques, Marcelo [1] ; Teles, Lara K. [1]
Número total de Autores: 4
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Technol Inst Aeronaut, Grp Semicond Mat & Nanotechnol GMSN, BR-12228900 Sao Jose Dos Campos, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 1
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Physical Review B; v. 90, n. 22 DEC 3 2014.
Citações Web of Science: 7
Resumo

Although Mn impurities are promising to bring Si, the most widespread semiconductor employed in electronic devices, into the spintronics realm, few theoretical works exist that calculate the charge transition levels of Mn in Si. Among these works, none of them makes use of gap correction methods. To fill this void, we performed first principles calculations for Mn-doped Si, using the GGA-1/2method, which approximately includes quasiparticle corrections at a small computational price. Our results improve the theoretical description of these charge transition levels, achieving good agreement with experimental results for interstitial and substitutional sites. Furthermore, the GGA-1/2 method allowed us to use reasonably large supercells, up to 217 atoms. (AU)

Processo FAPESP: 12/50738-3 - Estudo de pontos quânticos através de cálculos de primeiros princípios
Beneficiário:Ronaldo Rodrigues Pelá
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular