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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Crystallinity, morphology and high dielectric permittivity of NiO nanosheets filling Poly(vinylidene fluoride)

Texto completo
Autor(es):
Amoresi, Rafael A. C. [1, 2] ; Felix, Anderson A. [2] ; Botero, Eriton R. [1] ; Domingues, Nelson L. C. [3] ; Falcao, Evaristo A. [1] ; Zaghete, Maria A. [2] ; Rinaldi, Andrelson W. [4]
Número total de Autores: 7
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Fed Univ Grande Dourados, GOA, Appl Opt Grp, Dourados, MS - Brazil
[2] Sao Paulo State Univ, Inst Chem, LIEC Dept Chem Techonol, Interdisciplinary Lab Electrochem & Ceram, Araraquara, SP - Brazil
[3] Univ Grande Dourados, Lab Organ Catalysis & Biocatalysis, Dourados, MS - Brazil
[4] Univ Estadual Maringa, Mat Chem & Sensors Lab LMSen, Maringa, Parana - Brazil
Número total de Afiliações: 4
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: CERAMICS INTERNATIONAL; v. 41, n. 10, B, p. 14733-14739, DEC 2015.
Citações Web of Science: 13
Resumo

Composite films based on Poly(vinylidene fluoride) (PVDF) polymer filled with Nickel oxide (NiO) nanosheets were prepared via the solution casting method. The effect of NiO filler introduction on the structure and morphology of the composite films were analyzed by X-ray diffraction, Fourier transformed infrared spectroscopy and Scanning Electron Microscopy. The results showed that the crystallinity, beta-phase content and morphology are directly related to the NiO filler concentration into the polymer matrix owing to a heterogeneous nucleation. Electrical measurements revealed dielectric constants up to 45 at 1 kHz and an increasing in conductivity more than two orders of magnitude, with a percolation threshold of about 4.0% v/v of NiO filler content. (C) 2015 Elsevier Ltd and Techna Group S.r.l. All rights reserved. (AU)

Processo FAPESP: 13/14647-6 - Sensores de gás a base de óxidos semicondutores do tipo-p: estudos avançados in-situ e operando
Beneficiário:Anderson André Felix
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais
Beneficiário:Elson Longo da Silva
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs
Processo FAPESP: 12/11979-5 - Desenvolvimento de nanoestruturas e filmes de ZnO para extração de energia: nanogeradores e piezotrônicos
Beneficiário:Maria Aparecida Zaghete Bertochi
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular