Busca avançada
Ano de início
Entree
(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Slow light in semiconductor quantum dots: Effects of non-Markovianity and correlation of dephasing reservoirs

Texto completo
Autor(es):
Mogilevtsev, D. [1, 2] ; Reyes-Gomez, E. [3, 4] ; Cavalcanti, S. B. [5] ; Oliveira, L. E. [4]
Número total de Autores: 4
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed ABC, Ctr Ciencias Nat & Humanas, BR-09210170 Santo Andre, SP - Brazil
[2] NASB, Inst Phys, Minsk 220072 - Byelarus
[3] Univ Antioquia UdeA, Inst Fis, Medellin - Colombia
[4] Univ Estadual Campinas UNICAMP, Inst Fis, BR-13083859 Campinas, SP - Brazil
[5] Univ Fed Alagoas, Inst Fis, BR-5702970 Maceio, AL - Brazil
Número total de Afiliações: 5
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Physical Review B; v. 92, n. 23 DEC 30 2015.
Citações Web of Science: 2
Resumo

A theoretical investigation on slow light propagation based on electromagnetically induced transparency in a three-level quantum-dot system is performed including non-Markovian effects and correlated dephasing reservoirs. It is demonstrated that the non-Markovian nature of the process is quite essential even for conventional dephasing typical of quantum dots leading to significant enhancement or inhibition of the group velocity slowdown factor as well as to the shifting and distortion of the transmission window. Furthermore, the correlation between dephasing reservoirs may also either enhance or inhibit non-Markovian effects. (AU)

Processo FAPESP: 12/51691-0 - A física de novos materiais e nanoestruturas semicondutoras
Beneficiário:Luiz Eduardo Moreira Carvalho de Oliveira
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 14/21188-0 - Dinamica quântica de sistemas com acoplamento dissipativo
Beneficiário:Valery Shchesnovich
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional