Busca avançada
Ano de início
Entree
(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Recent Trends in Field-Effect Transistors-Based Immunosensors

Texto completo
Autor(es):
Mazarin de Moraes, Ana Carolina ; Kubota, Lauro Tatsuo
Número total de Autores: 2
Tipo de documento: Artigo de Revisão
Fonte: CHEMOSENSORS; v. 4, n. 4 DEC 2016.
Citações Web of Science: 21
Resumo

Immunosensors are analytical platforms that detect specific antigen-antibody interactions and play an important role in a wide range of applications in biomedical clinical diagnosis, food safety, and monitoring contaminants in the environment. Field-effect transistors (FET) immunosensors have been developed as promising alternatives to conventional immunoassays, which require complicated processes and long-time data acquisition. The electrical signal of FET-based immunosensors is generated as a result of the antigen-antibody conjugation. FET biosensors present real-time and rapid response, require small sample volume, and exhibit higher sensitivity and selectivity. This review brings an overview on the recent literature of FET-based immunosensors, highlighting a diversity of nanomaterials modified with specific receptors as immunosensing platforms for the ultrasensitive detection of various biomolecules. (AU)

Processo FAPESP: 16/04739-9 - Fabricação de imunossensores do tipo transistor de efeito de campo (FET) baseados em grafenos quimicamente modificados para detecção ultrassensível de biomarcadores de câncer de pulmão
Beneficiário:Ana Carolina Mazarin de Moraes
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 13/22127-2 - Desenvolvimento de novos materiais estratégicos para dispositivos analíticos integrados
Beneficiário:Lauro Tatsuo Kubota
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático