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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Revealing the nature of low-temperature photoluminescence peaks by laser treatment in van der Waals epitaxially grown WS2 monolayers

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Autor(es):
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Orsi Gordo, V. [1, 2] ; Balanta, M. A. G. [2, 3] ; Galvao Gobato, Y. [2] ; Covre, F. S. [2] ; Galeti, H. V. A. [4] ; Iikawa, F. [1] ; Couto, Jr., O. D. D. [1] ; Qu, F. [5] ; Henini, M. [6, 7] ; Hewak, D. W. [8] ; Huang, C. C. [8]
Número total de Autores: 11
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Estadual Campinas, Inst Fis Gleb Wataghin, BR-13083859 Campinas, SP - Brazil
[2] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
[3] Univ Fed Uberlandia, FACIP, BR-38304402 Ituiutaba, MG - Brazil
[4] Univ Fed Sao Carlos, Dept Engn Eletr, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
[5] Univ Brasilia, Inst Fis, BR-70919970 Brasilia, DF - Brazil
[6] Univ Nottingham, Sch Phys & Astron, Nottingham NG7 2RD - England
[7] Univ South Africa UNISA, Coll Grad Studies, Nanotechnol Labs, UNESCO UNISA Africa Chair Nanosci, POB 392, Pretoria - South Africa
[8] Univ Southampton, Optoelect Res Ctr, Southampton SO17 1BJ, Hants - England
Número total de Afiliações: 8
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: NANOSCALE; v. 10, n. 10, p. 4807-4815, MAR 14 2018.
Citações Web of Science: 7
Resumo

Monolayers of transition metal dichalcogenides (TMD) are promising materials for optoelectronics devices. However, one of the challenges is to fabricate large-scale growth of high quality TMD monolayers with the desired properties in order to expand their use in potential applications. Here, we demonstrate large-scale tungsten disulfide (WS2) monolayers grown by van der Waals Epitaxy (VdWE). We show that, in addition to the large structural uniformity and homogeneity of these samples, their optical properties are very sensitive to laser irradiation. We observe a time instability in the photoluminescence (PL) emission at low temperatures in the scale of seconds to minutes. Interestingly, this change of the PL spectra with time, which is due to laser induced carrier doping, is employed to successfully distinguish the emission of two negatively charged bright excitons. Furthermore, we also detect blinking sharp bound exciton emissions which are usually attractive for single photon sources. Our findings contribute to a deeper understanding of this complex carrier dynamics induced by laser irradiation which is very important for future optoelectronic devices based on large scale TMD monolayers. (AU)

Processo FAPESP: 16/16365-6 - Nanoestruturas de semicondutoras III-V e suas propriedades ópticas
Beneficiário:Fernando Iikawa
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 16/10668-7 - Propriedades óticas, magneto-óticas, de transporte e magneto-transporte de materiais semicondutores bidimensionais baseados em materiais de transição dicalcogenados
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 14/50513-7 - Propriedades de transporte de heteroestruturas semicondutoras III-Bi-V para dispositivos fotônicos avançados
Beneficiário:Helder Vinícius Avanço Galeti
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 12/11382-9 - Modulação ótica de sistemas nanoestruturados usando ondas acústicas de superfícies
Beneficiário:Odilon Divino Damasceno Couto Júnior
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Apoio a Jovens Pesquisadores