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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Fourier transform spectrometer on silicon with thermo-optic non-linearity and dispersion correction

Texto completo
Autor(es):
Souza, Mario C. M. M. [1] ; Grieco, Andrew [2] ; Frateschi, Newton C. [1] ; Fainman, Yeshaiahu [2]
Número total de Autores: 4
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Estadual Campinas, Gleb Wataghin Phys Inst, BR-13083970 Campinas, SP - Brazil
[2] Univ Calif San Diego, Dept Elect & Comp Engn, 9500 Gilman Dr, San Diego, CA 92023 - USA
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: NATURE COMMUNICATIONS; v. 9, FEB 14 2018.
Citações Web of Science: 25
Resumo

Miniaturized integrated spectrometers will have unprecedented impact on applications ranging from unmanned aerial vehicles to mobile phones, and silicon photonics promises to deliver compact, cost-effective devices. Mirroring its ubiquitous free-space counterpart, a silicon photonics-based Fourier transform spectrometer (Si-FTS) can bring broadband operation and fine resolution to the chip scale. Here we present the modeling and experimental demonstration of a thermally tuned Si-FTS accounting for dispersion, thermo-optic non-linearity, and thermal expansion. We show how these effects modify the relation between the spectrum and interferogram of a light source and we develop a quantitative correction procedure through calibration with a tunable laser. We retrieve a broadband spectrum (7 THz around 193.4 THz with 0.38-THz resolution consuming 2.5W per heater) and demonstrate the Si-FTS resilience to fabrication variations - a major advantage for large-scale manufacturing. Providing design flexibility and robustness, the Si-FTS is poised to become a fundamental building block for on-chip spectroscopy. (AU)

Processo FAPESP: 14/04748-2 - Microcavidades acopladas aplicadas ao processamento de sinais e integração fotônica
Beneficiário:Mário César Mendes Machado de Souza
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 15/20525-6 - Dispositivos ativos explorando efeitos capacitivos induzidos por cargas livres em guias de onda de silício
Beneficiário:Mário César Mendes Machado de Souza
Linha de fomento: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado