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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

A multitasking device based on electromagnetically induced transparency in optical cavities

Texto completo
Autor(es):
Oliveira, R. R. [1] ; Borges, H. S. [1] ; Souza, J. A. [2] ; Villas-Boas, C. J. [1]
Número total de Autores: 4
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
[2] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis Quim & Matemat, BR-18052780 Sorocaba, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: QUANTUM INFORMATION PROCESSING; v. 17, n. 11 NOV 2018.
Citações Web of Science: 0
Resumo

Quantum memories and optical transistors are elementary building blocks for the implementation of many devices for quantum computers and quantum communication. The realization of experiments that can perform both capabilities in the same setup can open an avenue of possibilities in the development of such practical quantum technologies. We theoretically investigate the feasibility of implementing a quantum memory and an optical transistor in the same setup using a combination of electromagnetically induced transparency and cavity quantum electrodynamics (cavity-EIT) for single-and two-sided cavity configurations. This was accomplished by considering a single three-level atom in Lambda configuration coupled to a single electromagnetic mode of the cavity and a suitable temporal shape for the EIT control field. An optical transistor in cavity-EIT can be realized in a symmetric cavity with two output channels while a high efficient quantum memory must be performed in a single-sided one. From the master equation and input-output formalisms for the intracavity and outside fields, respectively, we obtain the upper bound of 50% for the memory efficiency with perfect transistor action in two-sided cavities and values close to 100% for the efficiency with a limited transistor effect for the single-sided setup in the high cooperativity regime. Thus, we showed that a dual device, which operates as a quantum memory and an optical transistor in the same setup of cavity-EIT, can be accomplished with some limitation in one of those capabilities. (AU)

Processo FAPESP: 13/04162-5 - Desenvolvimento de sensores quânticos com átomos ultrafrios
Beneficiário:Philippe Wilhelm Courteille
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 15/21229-1 - Controle de luz com luz e o monitoramento da transição clássico-quântica em Eletrodinâmica Quântica de Cavidades
Beneficiário:James Alves de Souza
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 14/12740-1 - Memória quântica e eletrodinâmica de cavidades em pontos quânticos acoplados por tunelamento
Beneficiário:Halyne Silva Borges
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 12/00176-9 - Dinâmica de sistemas quânticos abertos: transição quântico-clássico e transparência eletromagneticamente induzida em cavidades ópticas
Beneficiário:Celso Jorge Villas-Bôas
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular