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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Defect-induced magnetism in II-VI quantum dots

Texto completo
Autor(es):
Lima, Matheus P. [1] ; Cabral, L. [1] ; Margapoti, Emanuela [1] ; Mahapatra, Suddhasatta [2] ; Da Silva, Juarez L. F. [3] ; Hartmann, Fabian [4, 5] ; Hoefling, Sven [6, 4, 5] ; Marques, Gilmar E. [1] ; Lopez-Richard, Victor [1]
Número total de Autores: 9
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
[2] Indian Inst Technol, Dept Phys, Bombay 400076, Maharashtra - India
[3] Univ Sao Paulo, Inst Quim Sao Carlos, BR-13560970 Sao Carlos, SP - Brazil
[4] Univ Wurzburg, Phys Inst, Tech Phys, D-97074 Wurzburg - Germany
[5] Univ Wurzburg, Rontgen Ctr Complex Mat Syst RCCM, D-97074 Wurzburg - Germany
[6] Univ St Andrews, Sch Phys & Astron, SUPA, St Andrews KY16 9SS, Fife - Scotland
Número total de Afiliações: 6
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Physical Review B; v. 99, n. 1 JAN 22 2019.
Citações Web of Science: 0
Resumo

The identification of physical parameters that lead to magnetism in apparent nonmagnetic semiconductor systems has continuously challenged our community. In particular, for quantum-dot systems, they are key factors that contribute to their magneto-optical properties. We report, experimentally, optical evidences of induced nanomagnetism in nonmagnetic CdSe quantum dots and assess theoretically the role played by charged and uncharged vacancies. The analysis of these effects rests upon both the chemical and strain environments where the quantum dots are embedded. The interplay of spin-orbit interaction with built-in axial strains has been demonstrated to be a key factor for the magnetic moment alignment. This has been achieved in this paper by emulating the electronic structure at atomistic levels, considering various defect configurations and taking into account both the quantum dot composition and the influence of the host lattice. (AU)

Processo FAPESP: 14/02112-3 - Fenômenos ópticos e de transporte em nano-dispositvos
Beneficiário:Victor Lopez Richard
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 14/19142-2 - Caracterização e processamento de nanoestruturas semicondutoras e aplicações como dispositivos
Beneficiário:Gilmar Eugenio Marques
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 17/11631-2 - Ciência Computacional de Materiais
Beneficiário:Juarez Lopes Ferreira da Silva
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Programa Centros de Pesquisa em Engenharia