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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

The Thermomechanical Properties of Thermally Evaporated Bismuth Triiodide Thin Films

Texto completo
Autor(es):
Coutinho, Natalia F. [1] ; Cucatti, Silvia [1] ; Merlo, Rafael B. [1] ; Silva Filho, Jose Maria C. [1] ; Borrero Villegas, Nelson F. [1] ; Alvarez, Fernando [1] ; Nogueira, Ana F. [2] ; Marques, Francisco C. [1]
Número total de Autores: 8
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Estadual Campinas, UNICAMP, Gleb Wataghin Inst Phys, BR-13083859 Campinas, SP - Brazil
[2] Univ Estadual Campinas, UNICAMP, Inst Chem, BR-13083970 Campinas, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: SCIENTIFIC REPORTS; v. 9, AUG 13 2019.
Citações Web of Science: 0
Resumo

Bismuth triiodide (BiI3) has been studied in recent years with the aim of developing lead-free semiconductors for photovoltaics. It has also appeared in X-ray detectors due to the high density of the Bismuth element. This material is attractive as an active layer in solar cells, or may be feasible for conversion into perovskite-like material (MA(3)Bi(2)I(9)), being also suitable for photovoltaic applications. In this study, we report on the thermomechanical properties (stress, hardness, coefficient of thermal expansion, and biaxial and reduced Young's moduli) of BiI3 thin films deposited by thermal evaporation. The stress was determined as a function of temperature, adopting the thermally induced bending technique, which allowed us to extract the coefficient of thermal expansion (31 x 10(-6) degrees C-1) and Young's biaxial modulus (19.6 GPa) for the films. Nanohardness (similar to 0.76 GPa) and a reduced Young's modulus of 27.1 GPa were determined through nanoindentation measurements. (AU)

Processo FAPESP: 12/10127-5 - Pesquisa e desenvolvimento de materiais nanoestruturados para aplicações eletrônicas e de física de superfícies
Beneficiário:Fernando Alvarez
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 17/11986-5 - Divisão de Pesquisa 1 - portadores densos de energia
Beneficiário:Ana Flávia Nogueira
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Programa Centros de Pesquisa em Engenharia