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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Edge phonons in layered orthorhombic GeS and GeSe monochalcogenides

Texto completo
Autor(es):
Ribeiro, H. B. [1] ; Ramos, S. L. L. M. [2] ; Seixas, L. [1] ; de Matos, C. J. S. [1] ; Pimenta, M. A. [3]
Número total de Autores: 5
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Prebiteriana Mackenzie, MackGraphe Graphene & Nanomat Res Ctr, BR-01302907 Sao Paulo - Brazil
[2] Univ Fed Minas Gerais, Ctr Tecnol Nanomat & Grafeno CTNano, BR-30161970 Belo Horizonte, MG - Brazil
[3] Univ Fed Minas Gerais, Dept Fis, BR-30123970 Belo Horizonte, MG - Brazil
Número total de Afiliações: 3
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Physical Review B; v. 100, n. 9 SEP 3 2019.
Citações Web of Science: 0
Resumo

Germanium sulfide (GeS) and germanium selenide (GeSe) are layered orthorhombic crystals whose structure bears a strong resemblance with that of black phosphorus and, additionally, are expected to exhibit high piezoelectricity in the few layer domain. In this work, we investigate the Raman properties of exfoliated GeS and GeSe and show that their edges exhibit unusual polarized Raman features that were first observed in black phosphorus. The results include the activation in the spectra of otherwise not allowed modes at the edges of the sample, depending on the crystallographic direction of the edge and the polarization configuration used in the measurements. These features are attributed to atomic rearrangements at the crystal terminations, as well as their impact on phonon symmetries, similar to the case of black phosphorus. Our conclusions are further corroborated by using density functional theory and suggest that edge rearrangements, which will have an impact on the mechanical, electronic, and chemical properties of devices, is a general phenomenon of orthorhombic layered structures. (AU)

Processo FAPESP: 15/11779-4 - Efeitos plasmônicos e não-lineares em grafeno acoplado a guias de onda ópticos
Beneficiário:Christiano José Santiago de Matos
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 12/50259-8 - Grafeno: fotônica e opto-eletrônica: colaboração UPM-NUS
Beneficiário:Antonio Helio de Castro Neto
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Programa SPEC
Processo FAPESP: 17/20100-0 - Espectroscopia de efeitos excitônicos e multi-corpos em materiais bidimensionais
Beneficiário:Henrique Bücker Ribeiro
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 18/04926-9 - Espectroscopia de efeitos excitônicos e multi-corpos em materiais bidimensionais
Beneficiário:Henrique Bücker Ribeiro
Linha de fomento: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Pós-Doutorado