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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Effect of the electrodeposition potential on the photoelectroactivity of the SnS/Sb2S3 thin films

Texto completo
Autor(es):
de Araujo, Moises A. [1] ; Lucas, Francisco W. S. [2] ; Mascaro, Lucia H. [1]
Número total de Autores: 3
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed Sao Carlos, Dept Quim, Rodovia Washington Luiz, Km 235, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
[2] Univ Sao Paulo, Inst Quim, Ave Trabalhador Sao Carlense 400, BR-33739900 Sao Carlos, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Journal of Solid State Electrochemistry; v. 24, n. 2, SI JAN 2020.
Citações Web of Science: 0
Resumo

The present work outlines a simple and novel approach to obtain nanostructured and heterostructured SnS/Sb2S3 thin films. This material showed enhanced photoelectroactivity in comparison to the individual tin (II) sulphide (SnS) and antimony (III) sulphide (Sb2S3) films. These nanostructured films were grown by electrodeposition of antimony tin (SbSn) compound followed by sulphurisation under a sulphur vapour atmosphere. The optimisation of the growth methodology was systematically performed by evaluating the photoelectroactivity of the films prepared at different deposition potentials as well as by characterisation of the as-deposited binary compound and the films after sulphurisation. In comparison to the individual SnS and Sb2S3 films, the SnS/Sb2S3 one presented a photocurrent response increased 10-fold compared to the former and 48-fold compared to the latter. Further studies carried out by Mott-Schottky analysis and band gap determination confirmed that the band edge positions of the single SnS and Sb2S3 phases are suitably aligned, forming a type II heterostructure which facilitates minority carriers' separation and transportation and therefore improves the photocurrent density values. (AU)

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