Doping quantum materials: Defects and impurities in FeGa3

Autor(es)

Alvarez-Quiceno, J. C. ^[1] ; Avila, M. A. ^[1] ; Osorio-Guillen, J. M. ^[2] ; Dalpian, G. M. ^[1]

Afiliação do(s) autor(es)

^[1] Univ Fed ABC, Ctr Ciencias Nat & Humanas, BR-09210170 Santo Andre, SP - Brazil

^[2] Univ Antioquia UdeA, Inst Fis, Calle 70 52-21, Medellin - Colombia

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: Physical Review B; v. 102, n. 9 SEP 29 2020.
• Citações Web of Science: 0

Resumo

Defects and impurities strongly dictate the physical properties of materials by tuning conductivity, modulating magnetic response, and changing optical properties. Here we analyze how these entities behave in the prototype quantum material FeGa3. We have studied its intrinsic defects (vacancies, antisites, and interstitials) as well as different types of dopants such as Zn, Mn, Ge, Co, In, and Ru. Intrinsic defects are shown to have large formation energies, whereas dopants have a larger solubility. Different electronic and magnetic states, including localized polarons, were found to be induced by specific defect charge states, significantly altering the properties of the host material. (AU)

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• Beneficiário: Pascoal Jose Giglio Pagliuso
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Processo FAPESP: 17/02317-2 - Interfaces em materiais: propriedades eletrônicas, magnéticas, estruturais e de transporte
• Beneficiário: Adalberto Fazzio
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Processo FAPESP: 11/19924-2 - Estudo e desenvolvimento de novos materiais avançados: eletrônicos, magnéticos e nanoestruturados: uma abordagem interdisciplinar
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• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático