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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Doping quantum materials: Defects and impurities in FeGa3

Texto completo
Autor(es):
Alvarez-Quiceno, J. C. [1] ; Avila, M. A. [1] ; Osorio-Guillen, J. M. [2] ; Dalpian, G. M. [1]
Número total de Autores: 4
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed ABC, Ctr Ciencias Nat & Humanas, BR-09210170 Santo Andre, SP - Brazil
[2] Univ Antioquia UdeA, Inst Fis, Calle 70 52-21, Medellin - Colombia
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Physical Review B; v. 102, n. 9 SEP 29 2020.
Citações Web of Science: 0
Resumo

Defects and impurities strongly dictate the physical properties of materials by tuning conductivity, modulating magnetic response, and changing optical properties. Here we analyze how these entities behave in the prototype quantum material FeGa3. We have studied its intrinsic defects (vacancies, antisites, and interstitials) as well as different types of dopants such as Zn, Mn, Ge, Co, In, and Ru. Intrinsic defects are shown to have large formation energies, whereas dopants have a larger solubility. Different electronic and magnetic states, including localized polarons, were found to be induced by specific defect charge states, significantly altering the properties of the host material. (AU)

Processo FAPESP: 17/10581-1 - Fenômenos emergentes em sistemas de dimensões reduzidas
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Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 17/02317-2 - Interfaces em materiais: propriedades eletrônicas, magnéticas, estruturais e de transporte
Beneficiário:Adalberto Fazzio
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 11/19924-2 - Estudo e desenvolvimento de novos materiais avançados: eletrônicos, magnéticos e nanoestruturados: uma abordagem interdisciplinar
Beneficiário:Carlos Rettori
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático