| Texto completo | |
| Autor(es): |
de Oliveira, F. M.
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Cabral, L.
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Villegas-Lelovsky, L.
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Lima, Matheus P.
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Aragon, F. F. H.
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Marques, G. E.
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Chiquito, A. J.
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Teodoro, M. D.
Número total de Autores: 8
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C; v. 11, n. 12, p. 11-pg., 2023-02-14. |
| Resumo | |
In this work, carrier transport in a gold-seeded zinc diphosphide nanowire fabricated by vapor-liquid-solid and photolithography techniques is investigated in detail. The presence of zinc vacancies and interstitial phosphorus along the nanostructure resulted in defect levels evidenced by photoluminescence transitions observed in the near-infrared spectral range (800-900 nm). The electronic transport measurements by thermally stimulated current identified an activation energy of 80 meV, as well as a defect state with photoluminescence emission at 1.40 eV. The electronic transport in the transient regime was verified for temperatures below 50 K up to room temperature, and the photocurrent relaxation was described by a phenomenological model. We observed a well defined square-wave photoresponse of hundreds of nanoamperes per second during 532 nm light excitation, justifying the potential use of the device as a light sensor. Also, for the first time, ab initio calculations were performed considering defects of a Zn monovacancy close to an interstitial P atom to describe the luminescence transitions. The systematic use of a hybrid functional for these defects allows us to determine the presence of polarons due to the distortion of atomic bonds. Through the electronic property simulations, we corroborated the nature of p-type transport in zinc diphosphide nanowires. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 14/02112-3 - Fenômenos ópticos e de transporte em nano-dispositivos |
| Beneficiário: | Victor Lopez Richard |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Processo FAPESP: | 13/17639-4 - Obtenção de semicondutores nanoestruturados: correlação das propriedades fotocatalíticas com suas características estruturais |
| Beneficiário: | Waldir Avansi Junior |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Processo FAPESP: | 13/18719-1 - Dinâmica de portadores eletrônicos em nanoestruturas semicondutoras |
| Beneficiário: | Marcio Daldin Teodoro |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores |
| Processo FAPESP: | 18/20729-9 - Formação de Nanopartículas de Prata por Irradiação a Laser: Uma Investigação ab initio |
| Beneficiário: | Luis Antônio Cabral |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Processo FAPESP: | 14/19142-2 - Caracterização e processamento de nanoestruturas semicondutoras e aplicações como dispositivos |
| Beneficiário: | Gilmar Eugenio Marques |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Temático |
| Processo FAPESP: | 13/19692-0 - Estudo quantitativo das características eletrônicas de junções metal-nanofios de óxidos metálicos |
| Beneficiário: | Adenilson José Chiquito |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Processo FAPESP: | 16/14381-4 - Nanofios semicondutores para o desenvolvimento de dispositivos fotovoltaicos |
| Beneficiário: | Adenilson José Chiquito |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |