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(Referência obtida automaticamente do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

In-situ Determination of Indium Segregation in InGaAs/GaAs Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy

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Autor(es):
Martini, S. ; Quivy, A. A.
Número total de Autores: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Brazilian Journal of Physics; v. 32, n. 2A, p. 359-361, June 2002.
Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
Notas: O processo está em nome de Guennadii Mikhailovitch Gusev
Assunto(s):Semicondutores   Átomos   Materiais nanoestruturados   Desenvolvimento de novos materiais
Resumo

The surface segregation of indium atoms during the growth of InGaAs/GaAs heterostructures has been investigated in situ by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). We pointed out that strong damping of the RHEED oscillations during the deposition of InGaAs on GaAs was related to the segregation strength of indium atoms in the InGaAs layer. A simple model shows that the decay constant of the RHEED oscillations may be used to determine accurately the segregation coefficient R, as confirmed by photoluminescence (PL) measurements.(AU)

Processo FAPESP: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
Beneficiário:Gennady Gusev
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 98/14489-0 - Estudos do padrao de difracao de amostras semicondutoras de compostos iii-v crescidas pela tecnica de epitaxia por feixe molecular.
Beneficiário:Alain André Quivy
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 97/07974-6 - Estudo do crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas de ingaas sobre substratos desorientados.
Beneficiário:Sandro Martini
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado