Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction

Autor(es)

Martini, S. ; Quivy, A. A. ; Silva, M. J. da ; Lamas, T. E. ; Silva, E. C. F. da ; Leite, J. R. ; Abramof, E.

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: Journal of Applied Physics; v. 94, n. 11, p. 7050-7052, Dec. 2003.
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
• Assunto(s): Difração por raios X Átomos

Resumo

Calculations using the dynamical theory of diffraction together with a sample model which considers the segregation of indium atoms were employed to fit the high-resolution x-ray spectra of strained InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular-beam epitaxy. The segregation coefficients obtained from the best fits to the experimental data of samples grown at different temperatures are in excellent agreement with the expected values and confirm that x-ray diffraction is a valuable tool for the investigation of the segregation phenomenon. (AU)

• Processo FAPESP: 01/14106-8 - Crescimento, caraterizacao e aplicacao de pontos quanticos de inas auto-organizados.
• Beneficiário: Sandro Martini
• Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 00/12529-6 - Medidas de efeito Hall dependente com a temperatura e difratometria de raios-X de alta resolução aplicados a diversos materiais
• Beneficiário: Eduardo Abramof
• Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Processo FAPESP: 99/08979-7 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser
• Beneficiário: Marcelo Jacob da Silva
• Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Processo FAPESP: 99/10510-7 - Crescimento por mbe, caracterizacao e otimizacao de camadas dopadas do tipo "p" para a fabricacao de dispositivos optoeletronicos.
• Beneficiário: Tomás Erikson Lamas
• Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Processo FAPESP: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
• Beneficiário: Gennady Gusev
• Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático