Busca avançada
Ano de início
Entree
(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 µm

Texto completo
Autor(es):
Rudno-Rudzi{\’n}ski‚ W. ; Ryczko‚ K. ; S{\k{e}}k‚ G. ; Misiewicz‚ J. ; Da Silva‚ MJ ; Quivy‚ AA
Número total de Autores: 6
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Solid State Communications; v. 135, n. 4, p. 232-236, 2005.
Processo FAPESP: 02/10185-3 - Crescimento epitaxial por feixe molecular de heteroestruturas semicondutoras obtidas por tecnicas especiais.
Beneficiário:Alain André Quivy
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
Beneficiário:Gennady Gusev
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático