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(Referência obtida automaticamente do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

SnO2 extended gate field-effect transistor as pH sensor

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Autor(es):
Batista, P. D. ; Mulato, Marcelo [2] ; Graeff, C. F. de O. ; Fernandez, F. J. R. ; Marques, F. das C.
Número total de Autores: 5
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Brazilian Journal of Physics; v. 36, n. 2A, p. 478-481, June 2006.
Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
Assunto(s):Transistores   Sensores eletromecânicos
Resumo

Extended gate field-effect transistor (EGFET) is a device composed of a conventional ion-sensitive electrode and a MOSFET device, which can be applied to the measurement of ion content in a solution. This structure has a lot of advantages as compared to the Ion- Sensitive Field Effect Transistor (ISFET). In this work, we constructed an EGFET by connecting the sensing structure fabricated with SnO2 to a commercial MOSFET (CD4007UB). From the numerical simulation of site binding model it is possible to determine some of the desirable characteristics of the films. We investigate and compare SnO2 films prepared using both the Sol-gel and the Pechini methods. The aim is an amorphous material for the EGFET... (AU)

Processo FAPESP: 01/08221-9 - Biossensores e/ou sensores aplicados à medicina e biologia
Beneficiário:Marcelo Mulato
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Apoio a Jovens Pesquisadores
Processo FAPESP: 03/08471-0 - Bio-sensores de pH, uréia e glicose a partir de dispositivos capacitivos e de efeito de campo
Beneficiário:Pablo Diniz Batista
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado