Busca avançada
Ano de início
Entree
(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

ZnO extended-gate field-effect transistors as pH sensors

Texto completo
Autor(es):
Batista‚ PD ; Mulato‚ M.
Número total de Autores: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Applied Physics Letters; v. 87, p. 143508, 2005.
Resumo

The objective of this work is the study and characterization of zinc oxide (ZnO) as pH sensor. We used an extended-gate field-effect transistor (EGFET) to obtain the response of ZnO as a function of pH. Sol-gel was used for the production of ZnO films because this is a low cost and easy fabrication procedure. The ZnO powder was obtained at different temperatures of calcination, from 150 up to 500°C. The samples were investigated by x-ray diffraction, infrared spectroscopy, thermogravimetric analysis and differential thermal analysis. The films were investigated as pH sensors (range 2–12) and the ZnO EGFET shows a sensitivity of 38mV∕pH. (AU)

Processo FAPESP: 01/08221-9 - Biossensores e/ou sensores aplicados à medicina e biologia
Beneficiário:Marcelo Mulato
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Apoio a Jovens Pesquisadores
Processo FAPESP: 03/08471-0 - Bio-sensores de pH, uréia e glicose a partir de dispositivos capacitivos e de efeito de campo
Beneficiário:Pablo Diniz Batista
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado