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(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Structural‚ dielectric and ferroelectric properties of Nb-doped PZT thin films produced by oxide precursor method

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Autor(es):
Araújo‚ EB ; Eiras‚ JA
Número total de Autores: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Ferroelectrics; v. 270, n. 1, p. 51-56, 2002.
Processo FAPESP: 99/02485-2 - Síntese, deposição e caracterização dielétrica e ferroelétrica de filmes finos
Beneficiário:Eudes Borges de Araújo
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado