Busca avançada
Ano de início
Entree
(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Morphological and optical properties of p-type GaAs (001) layers doped with silicon

Texto completo
Autor(es):
Lamas‚ TE ; Martini‚ S. ; da Silva‚ MJ ; Quivy‚ AA ; Leite‚ JR
Número total de Autores: 5
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Microelectronics Journal; v. 34, n. 5, p. 701-703, 2003.
Processo FAPESP: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
Beneficiário:Gennady Gusev
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 01/14106-8 - Crescimento, caraterizacao e aplicacao de pontos quanticos de inas auto-organizados.
Beneficiário:Sandro Martini
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 99/10510-7 - Crescimento por mbe, caracterizacao e otimizacao de camadas dopadas do tipo "p" para a fabricacao de dispositivos optoeletronicos.
Beneficiário:Tomás Erikson Lamas
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 99/08979-7 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser
Beneficiário:Marcelo Jacob da Silva
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 95/05651-0 - Scanning probe microscope para multi-usuários
Beneficiário:Maria Cecília Barbosa da Silveira Salvadori
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Programa Infra-estrutura - Equipamentos