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(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 µm

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Autor(es):
Da Silva‚ MJ ; Martini‚ S. ; Lamas‚ TE ; Quivy‚ AA ; Da Silva‚ ECF ; Leite‚ JR
Número total de Autores: 6
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Microelectronics Journal; v. 34, n. 5, p. 631-633, 2003.
Processo FAPESP: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
Beneficiário:Gennady Gusev
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 99/08979-7 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser
Beneficiário:Marcelo Jacob da Silva
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado