Busca avançada
Ano de início
Entree
(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Accurate band gaps of AlGaN‚ InGaN‚ and AlInN alloys calculations based on LDA-1/2 approach

Texto completo
Autor(es):
Pelá‚ RR ; Caetano‚ C. ; Marques‚ M. ; Ferreira‚ LG ; Furthmuller‚ J. ; Teles‚ LK
Número total de Autores: 6
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Applied Physics Letters; v. 98, n. 15, p. 151907-151907, 2011.
Processo FAPESP: 08/11423-1 - Simulação de dispositivos quânticos baseados no spin
Beneficiário:Ronaldo Rodrigues Pelá
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado Direto
Processo FAPESP: 06/05858-0 - Estudo teórico de ligas semicondutoras com aplicações em spintrônica e optoeletrônica
Beneficiário:Lara Kühl Teles
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Apoio a Jovens Pesquisadores