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(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

GaMnAs: Position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations

Texto completo
Autor(es):
Pela, R. R. [1] ; Marques, M. [1] ; Ferreira, L. G. [2, 1] ; Furthmueller, J. [3] ; Teles, L. K. [1]
Número total de Autores: 5
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Inst Tecnol Aeronaut, BR-12228900 Sao Jose Dos Campos, SP - Brazil
[2] Univ Sao Paulo, Inst Fis, BR-05315970 Sao Paulo - Brazil
[3] Univ Jena, Inst Festkorpertheorie & Opt, D-07743 Jena - Germany
Número total de Afiliações: 3
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Applied Physics Letters; v. 100, n. 20, p. 202408-202408, 2012.
Citações Web of Science: 21
Processo FAPESP: 08/11423-1 - Simulação de dispositivos quânticos baseados no spin
Beneficiário:Ronaldo Rodrigues Pelá
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado Direto
Processo FAPESP: 06/05858-0 - Estudo teórico de ligas semicondutoras com aplicações em spintrônica e optoeletrônica
Beneficiário:Lara Kühl Teles
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Apoio a Jovens Pesquisadores