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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells

Texto completo
Autor(es):
Matusalem, Filipe [1] ; Ribeiro, Jr., Mauro [1] ; Marques, Marcelo [1] ; Pela, Ronaldo R. [1] ; Ferreira, Luiz G. [2, 1] ; Teles, Lara K. [1]
Número total de Autores: 6
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Inst Tecnol Aeronaut, Grp Mat Semicond & Nanotecnol, BR-12228900 Sao Jose Dos Campos, SP - Brazil
[2] Univ Sao Paulo, Inst Fis, Dept Fis Mat & Mecan, BR-05315970 Sao Paulo - Brazil
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Physical Review B; v. 88, n. 22 DEC 10 2013.
Citações Web of Science: 14
Resumo

A source of uncertainty in the state of the art calculations of defect levels is the inaccurate prediction of band-gap energies. Several approaches were developed to surpass this problem. However, another source of uncertainty remains: the small number of clustered atoms imposed by the computational restrictions. In this work, the LDA-1/2 method is explored in an attempt to overcome both problems with a small computational cost. We considered the self-interstitial defects in silicon as a benchmark for calculating defect states and charge-transition levels of point defects in semiconductors. We found neutral formation energies, including reaction barriers, of 4.65, 4.49, and 4.87 eV, for hexagonal, split < 110 > and C-3v configurations, respectively, in good agreement with most experimental results. (AU)

Processo FAPESP: 12/14617-7 - Engenharia de bandas com o método LDA-1/2 de correção de estados excitados: estudo de sistemas com confinamento quântico
Beneficiário:Mauro Fernando Soares Ribeiro Junior
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 12/50738-3 - Estudo de pontos quânticos através de cálculos de primeiros princípios
Beneficiário:Ronaldo Rodrigues Pelá
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular