CV Lattes
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Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental São João da Boa Vista. Faculdade de Engenharia (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui graduação em Engenharia Elétrica com ênfase em computadores pelo Centro Universitário da FEI (2000), mestrado (2003) e doutorado (2008) em Engenharia Elétrica (microeletrônica) pela Universidade de São Paulo. O pós-doutorado foi realizado na Escola Politécnica da Universidade de São Paulo em cooperação com o Centro de pesquisa Imec/ Bélgica (2014). Gerenciou o Centro de Treinamento para Projetistas de Circuitos Integrados da Escola Politécnica da USP do programa CI-Brasil. Atualmente é professora da Universidade Estadual Paulista (UNESP) e pesquisadora associada à Universidade de São Paulo. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em microeletrônica, atuando principalmente nos seguintes temas: Tecnologia SOI CMOS, FinFET, Nanowire, Nanosheet, Radiação, dispositivos tensionados , e transistores de tunelamento (TFETs). É senior member e Presidente do Capítulo da Electron Devices Society (EDS) do IEEE da Seção Sul-Brasil. É pesquisadora produtividade Nível 1D do CNPq e participa de projetos de cooperação internacional entre Brasil e Bélgica. (Fonte: Currículo Lattes)
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Com o constante avanço e miniaturização dos dispositivos, o controle dos efeitos de canal curto em transistores MOSFETs convencionais se tornou um desafio significativo para o progresso tecnológico. Os transistores MOSFETs fabricados em tecnologia SOI surgiram como uma solução, oferecendo melhorias notáveis no desempenho, maior resistência aos efeitos de canal curto e maior velocidade de …
Com o avanço da tecnologia de fabricação de circuitos integrados, o escalamento dos dispositivos torna o controle das cargas na região de canal do transistor MOS convencional cada vez mais difícil e complexo. O transistor SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFETs de múltiplas portas, também conhecido por transistor SOI FinFET, aparece como uma alternativa aos transistores planares devido ao melh…
Com a contínua redução dos dispositivos, o controle dos efeitos de canal curto em transistores MOSFETs convencionais se tornou um problema para a evolução tecnológica. Os transistores MOS fabricados em tecnologia SOI passaram a ser utilizados devido às excelentes melhorias no desempenho desses dispositivos, maior imunidade aos efeitos de canal curto e maior velocidade de chaveamento.Neste…
A constante evolução da tecnologia depende, em grande parte, do desenvolvimento contínuo de dispositivos semicondutores. Esses componentes eletrônicos são essenciais para o funcionamento de uma ampla gama de dispositivos, desde smartphones e computadores até sistemas de comunicação e aplicações industriais. Um dos avanços recentes e promissores nesse campo é a tecnologia MISHEMT (Metal-In…
O enorme avanço tecnológico que vivenciamos hoje na área da eletrônica deve-se muito à capacidade de construirmos circuitos eletrônicos muito pequenos graças à tecnologia dos transistores MOSFETs, que nos permite utilizar dispositivos de escala nanométrica. Devido a isso, é de extrema importância entendermos seu funcionamento a fundo, através da caracterização elétrica desta tecnologia.Ne…
Com o avanço da tecnologia de fabricação de circuitos integrados, o escalamento dos dispositivos torna o controle das cargas na região de canal do transistor MOS convencional cada vez mais difícil e complexo. O transistor SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFETs de múltiplas portas, também conhecido por transistor FinFET, aparecem como uma alternativa aos transistores planares devido ao melhor …
Transistores são componentes fundamentais em eletrônica e, portanto, estão diretamente relacionados ao avanço tecnológico. O desenvolvimento de transistores baseados em nitreto de gálio (GaN), como o Transistor de Alta Mobilidade dos Elétrons (HEMT), melhorou significativamente o desempenho de circuitos e sistemas analógicos que operam em média potência e altas frequências, superando os t…
Com a contínua redução dos dispositivos, a tecnologia CMOS de fabricação, que atualmente atingiu escalas nanométricas, tem se deparado com problemas como os efeitos de canal curto. Como alternativa a esta tecnologia, as indústrias têm substituído a tecnologia CMOS convencional pela tecnologia de silício sobre isolante (SOI) e estruturas de múltiplas portas (MuGFETs). No entanto, para dime…
Para continuar diminuindo os dispositivos, novas tecnologias têm sido estudadas como alternativas para o CMOS convencional. Um destes dispositivos que podem superar as limitações dos transistores MOSFET é o transistor de tunelamento induzido por campo elétrico (TFET) que pode ter uma corrente de estado desligado muito baixa e uma inclinação de sublimiar menor que 60 mV/dec em temperatura …