Chaveamento elétrico de dispositivos para modulação óptica baseados em grafeno

Resumo

O objetivo deste projeto é desenvolver um processo de fabricação e caracterização de modulador eletro-óptico baseado em grafeno com a estrutura de um FET - Field Effect Transistor (transistor de efeito de campo) sobre um guia de onda, onde é injetada tensão elétrica de gate (Vg) sobre o dispositivo a fim de modular o sinal óptico. O modulador óptico será composto por uma folha de grafeno CVD - Chemical Vapor Deposition (deposição química a vapor) transferido para a lateral polida de uma fibra óptica, conhecida como fibra óptica de perfil D e coberto por líquido iônico com a função de dielétrico e contato de gate. Esse conjunto será acomodado sobre um substrato vítreo entre dois contatos metálicos, que terão a função de source e drain. Para avaliar o desempenho de um modulador eletro-óptico de grafeno será necessário considerar três parâmetros importantes: a frequência de operação (f), a tensão de gate (Vg) e a profundidade de modulação (Pmod), cuja variável é calculada pela diferença de absorção entre os dois modos de propagação, TE e TM. (AU)