Estruturas eletronica e geometrica, fenomenos opticos e de transporte em semicondutores compostos.

• Processo: 96/08834-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 1997
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 1998
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Kazunori Watari
• Beneficiário: Kazunori Watari
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Nanocristais Transporte Metais de transição
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Lapw | Metais De Transicao | Nanocristais | Quantum Dot | Semicondutores Iii-V E Ii-Vi | Transporte

Resumo

a) O nosso trabalho era fenômeno de transporte em "quantum dot" consiste em estudar a estrutura fina presente na característica IXV do dispositivo. Para isso, utilizaremos o modelo de Bryant resolvendo as equações de Schrödinger e de Poisson por procedimentos numéricos, buscando um realismo melhor no potencial de confinamento lateral do dispositivo. b) Estudaremos os efeitos que as impurezas de metais de transição introduz nos semi-condutores como GaN, A1N e InN em fenômenos óticos. Também estudos de efeito Jahn-Teller será realizado. O método de cálculo será o LAPW (Linearized Augumented Plane Wave) que nos dá a condição de obter quantitativamente as distorções Jahn-Teller. (AU)