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Polarizacao da luminescencia de estruturas semicondutoras bidimensionais.

Processo: 97/05513-1
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1997
Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 1999
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Marcelo Zoéga Maialle
Beneficiário:Marcelo Zoéga Maialle
Instituição Sede: Faculdade de Ciências Exatas e Tecnologia. Universidade São Francisco (USF). Campus Itatiba. Itatiba , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Poços quânticos 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Pocos Quanticos | Relaxacao De Spin | Semicondutores

Resumo

Estudaremos a relaxação do spin dos buracos pelo espalhamento, via interação de troca, com os elétrons em sistemas semicondutores bidimensionais tipo-n. Compararemos essa relaxação com aquela induzida pelo espalhamento buraco-fônon acústico. Em sistemas não dopados, investigaremos a dependência da polarização da luminescência com a intensidade da excitação ótica. (AU)

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