Propriedades estruturais, eletrônicas e vibracionais de semicondutores bulk e heteroestruturas semicondutoras derivadas de compostos III-V

• Processo: 99/12519-1
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2000
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2002
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
• Beneficiário: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Métodos ab initio Estrutura eletrônica Semicondutores Nitretos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Calculos Ab Initio | Estrutura Eletronica Teoria | Nitretos Do Grupo Iii | Semicondutores Iii-V | Teoria Da Massa Efetiva

Resumo

Efetuar cálculos de primeiros princípios da estrutura eletrônica em semicondutores binários e ternários derivados de compostos III-V, bem como de impurezas e defeitos nos mesmos, via os métodos "full potential" Linear Augmented Plane-Wave (LAPW) e o pseudopotencial na versão "Vienna Ab initio Simulation Package" (VASP). Estudo da estabilidade do composto e dos defeitos via energia total; estudo das propriedades termodinâmicas de ligas envolvendo os nitretos do grupo-III, diagramas de fase, etc.Efetuar cálculos de estrutura eletrônica de heteroestruturas semicondutoras, tipo poços quânticos e super-redes, envolvendo nitretos do grupo-III e suas ligas, via cálculos dentro da Teoria da Massa Efetiva (método k.p). Estudo dos efeitos de "strain", interação spin-órbita, etc, sobre as estruturas de bandas; estudo dos efeitos de dopagem (para diferentes perfis de dopagem) sobre a estrutura de bandas, perfis de potencial e energia de Fermi, resolvendo-se conjuntamente as equações da massa efetiva e de Poisson; inclusão de efeitos de troca-correlação no gás de buracos formado quando da dopagem tipo-p da heteroestrutura, etc. (AU)