Crescimento e transporte em nanoestruturas semicondutoras.

• Processo: 03/07370-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2003
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2009
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Mônica Alonso Cotta
• Beneficiário: Mônica Alonso Cotta
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Pontos quânticos Nanofios
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Compostos Iii-V | Nanofios | Pontos Quanticos | Transporte Eletrico

Resumo

Pretendemos explorar e caracterizar a diversidade de formas e arranjos espaciais de nanoestruturas semicondutoras crescidas no modo Stranski-Krastanov por epitaxia de feixe químico. As nanoestruturas serão caracterizadas estruturalmente por técnicas de microscopia e difração de raios-X. Estes resultados servirão de base para a interpretação das propriedades elétricas destas nanoestruturas. Medidas de condutância e corrente-voltagem com resolução espacial serão realizadas nas estruturas crescidas utilizando microscopia de forca atômica no modo condutivo e medidas de potencial de superfície no modo de força eletrostática. Estruturas tipo mesa serão processadas e medidas elétricas a baixas temperaturas serão adquiridas. Estes resultados deverão ser analisados através de modelos que descrevam processos de tunelamento num ensemble de nanoestruturas semicondutoras. (AU)