Desenvolvimento de detectores de silício a partir de fotodiodos comercias de baixo custo

• Processo: 96/05923-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Cooperação CNPq-FAPESP
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 1998
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Química - Processos Industriais de Engenharia Química
• Acordo de Cooperação: CNPq - Programa Cooperação CNPq-FAPESP
• Pesquisador responsável: Marcello Damy de Souza Santos
• Beneficiário: Marcello Damy de Souza Santos
• Instituição Sede: Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Diodos Espectrometria
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Detectores De Fotodiodos Pin | Detectores De Silicio | Detectores Semicondutores

Resumo

Desenvolvimento de detectores de Si a partir de fotodiodos comerciais de baixo custo para detecção e espectrometria de radiação alfa, elétrons de conversão interna e de fragmentos de fissão. Optimização das características desses detectores para torná-los extremamente vantajosos (custo e resolução em energia) em relação aos detectores de barreira de superfície, frequentemente utilizados em aplicações que envolvam espectrometria dessas radiações. (AU)