Lasers de matrizes cristalinas: crescimento de cristais, espectroscopia óptica e estudo dos lasers: adequação de infraestrutura

• Processo: 94/04962-9
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Infraestrutura
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 1995
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 1996
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Nilson Dias Vieira Junior
• Beneficiário: Nilson Dias Vieira Junior
• Instituição Sede: Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Infraestrutura de pesquisa

Resumo

Prover itens fundamentais de infra-estrutura do programa de desenvolvimento de lasers no IPEN, este programa compreende o crescimento de cristais dopados com íons, a caracterização espectroscópica desses materiais, o estudo de viabilidade desses materiais como meios lasers ativos, a construção de protótipos desses lasers e o estudo das suas aplicações na medicina, odontologia, além das aplicações em metalurgia e mecânica fina. Pretende-se o apoio a itens de infra-estrutura de uso comum nessas atividades, assim como partes e componentes específicos voltados para atender o programa principal. (AU)