Esc iberoam de crescimiento epitaxial nanoestruturas semicondutoras | sao paulo - sp

• Processo: 01/09786-0
• Modalidade de apoio: Auxílio Organização - Reunião Científica
• Data de Início da vigência: 19 de novembro de 2001
• Data de Término da vigência: 23 de novembro de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Eduardo Abramof
• Beneficiário: Eduardo Abramof
• Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Tipo de evento: Outros
• Instituição promotora: Programa Iberoamericano de Ciencia Y Tecnologia.
• Abrangência geográfica: Internacional
• Assunto(s): Crescimento epitaxial Materiais nanoestruturados Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao De Superficies | Crescimento Epitaxial | Estruturas Moduladas | Nanoestruturas | Semicondutores