Efeito de interação elétron-elétron no transporte eletrônico e nos estados ligados em nano-estruturas semicondutoras

• Processo: 12/50239-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2012
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2013
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Hai Guoqiang
• Beneficiário: Hai Guoqiang
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Materiais nanoestruturados Pontos quânticos Condução eletrônica Interação elétron-elétron
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Efeito De Muitos Corpos | Impureza | Nanoestrutura | Ponto Quantico | Semicondutor | Transporte Eletronico

Resumo

O objetivo principal deste projeto é o estudo teórico dos seguintes assuntos: (i) Efeitos de interação elétron-elétron na condutância eletrônica e no espalhamento elétron-elétron através de pontos quânticos confinados em uma estrutura modelada quase unidimensional considerando os estados de spin dos elétrons; e (ii) Estados ligados de dois elétrons e blindagem não linear em sistemas bidimensionais considerando os elétrons ligados ao centro de uma impureza doadora ou sujeitos a um potencial de modulação no plano. Incluímos também neste projeto, alguns trabalhos em andamento sobre os "clusters" de átomos metálicos. (AU)