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Debashish Sengupta | Indian Institute Technology - Índia

Processo: 95/09834-1
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Data de Início da vigência: 15 de julho de 1996
Data de Término da vigência: 14 de julho de 1997
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Shigueo Watanabe
Beneficiário:Shigueo Watanabe
Pesquisador visitante: Debashish Sengupta
Instituição do Pesquisador Visitante: Indian Institute of Technology Bombay (IIT Bombay), Índia
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Termoluminescência  Absorção óptica  Impurezas  Intercâmbio de pesquisadores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Absorcao Otica | Defeitos Pontuais | Impurezas | Termoluminescencia

Resumo

Estudo das propriedades-de centros de cor, de centros paramagnéticos e de centros de termoluminescência, criados pela radiação em defeitos intrínsecos e/ou extrínsecos em CaCo3 e SiO2. No primeiro cristal quase invariavelmente encontram-se os íons de se for calcita e, Pb se for aragonita, sem esquecer de outras impurezas que poderão estar presente. Esses íons, junto com as vacâncias, formam os centros acima mencionados sob irradiação. No caso de SiO2, as impurezas mais comumente encontradas são Al íons de metais alcalinos. O resultado desse estudo pode ser aplicado em datações arqueológicas ou geológicas. (AU)

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