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Melquíades de Dios Leyva | Universidad de La Habana - Cuba

Processo: 04/00976-9
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Data de Início da vigência: 24 de março de 2005
Data de Término da vigência: 16 de outubro de 2005
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Luiz Eduardo Moreira Carvalho de Oliveira
Beneficiário:Luiz Eduardo Moreira Carvalho de Oliveira
Pesquisador visitante: Melquíades de Dios Leyva
Instituição do Pesquisador Visitante: Universidad de La Habana (UH), Cuba
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:03/07905-7 - Física teórica de nanoestruturas semicondutoras: a) propriedades eletrônicas, ópticas e de impurezas em nanoestruturas semicondutoras; b) propriedades eletrônicas, magnéticas e de transporte de nanoestruturas semicondutoras magnéticas, AP.TEM
Assunto(s):Materiais nanoestruturados  Semicondutores  Propriedades eletrônicas  Intercâmbio de pesquisadores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Escitons | Estruturas Semicondutoras | Impurezas | Nanoestruturas | Propriedades Eletronicas

Resumo

Este projeto relaciona-se ao estudo das propriedades eletrônicas, de éxcitons e de impurezas em estruturas semicondutores de baixa dimensionalidade; é um tema de interesse atual devido à possibilidade de aplicações tecnológicas em dispositivos eletrônicos associados a estes sistemas. Nestas nanoestruturas, éxcitons e impurezas são afetados pelos potenciais de confinamento que são mais drásticos à medida em que as dimensões dos sistemas são reduzidos. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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