Mathias Scheffler | Fritz Haber Institut/Max Planck - Alemanha

• Processo: 94/03996-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 1995
• Data de Término da vigência: 02 de março de 1995
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Adalberto Fazzio
• Pesquisador visitante: Mathias Scheffler
• Instituição do Pesquisador Visitante: Max Planck Society, Berlin, Alemanha
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Estrutura eletrônica Adsorção Átomos Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Adsorcao De Atomos | Defeitos Profundos | Estrutura Eletronica | Interfaces | Semicondutores | Superficie

Resumo

i) Estudo das Metaestabilidade envolvidas em tip-Antisitios em semicondutores III-V. Utilizando pseudopotential ab initio no esquema de Car Parrinello. ii) Estudo da reatividade de átomos em interface e superfície em semicondutores III-V e II-VI. iii) Proferir uma série de seminários referentes aos recentes progressos experimentais e teorias na área. (AU)