Detlef Schikora | Universitat GH Paderborn - Int Optoelektronik - Alemanha

• Processo: 94/06298-9
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 13 de janeiro de 1995
• Data de Término da vigência: 12 de fevereiro de 1995
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: José Roberto Leite
• Beneficiário: José Roberto Leite
• Pesquisador visitante: Detlef Schikora
• Instituição do Pesquisador Visitante: University of Paderborn, Alemanha
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Fotoluminescência Semicondutores Heteroestruturas Técnicas de fotorreflectância Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento | Fotoluminescencia | Fotorefletancia | Heteroestruturas | Mbe | Semicondutores

Resumo

Crescimento de heteroestruturas semicondutoras por molecular beam epitaxuy-mbe. A visita do Prof. D. Schikora ao LNMS está relacionada às seguintes atividades de pesquisa. i) crescimento de heteroestruturas tipo dopagem planar; ii) crescimento de imas em GaAs com objetivo futuro de produzir fios quânticos e pontos quânticos; iii) caracterização por fotoluminescências e fotorefletância de heteroestruturas tipo (Ga, AR, Im) N/GaN fabricadas na Universidade de Paderborn. Estudo da possibilidade de produzirmos estas amostras no MBE de nosso laboratório. (AU)