| Processo: | 94/06298-9 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional |
| Data de Início da vigência: | 13 de janeiro de 1995 |
| Data de Término da vigência: | 12 de fevereiro de 1995 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | José Roberto Leite |
| Beneficiário: | José Roberto Leite |
| Pesquisador visitante: | Detlef Schikora |
| Instituição do Pesquisador Visitante: | University of Paderborn , Alemanha |
| Instituição Sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Município da Instituição Sede: | São Paulo |
| Assunto(s): | Fotoluminescência Semicondutores Heteroestruturas Técnicas de fotorreflectância Intercâmbio de pesquisadores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Crescimento | Fotoluminescencia | Fotorefletancia | Heteroestruturas | Mbe | Semicondutores |
Resumo
Crescimento de heteroestruturas semicondutoras por molecular beam epitaxuy-mbe. A visita do Prof. D. Schikora ao LNMS está relacionada às seguintes atividades de pesquisa. i) crescimento de heteroestruturas tipo dopagem planar; ii) crescimento de imas em GaAs com objetivo futuro de produzir fios quânticos e pontos quânticos; iii) caracterização por fotoluminescências e fotorefletância de heteroestruturas tipo (Ga, AR, Im) N/GaN fabricadas na Universidade de Paderborn. Estudo da possibilidade de produzirmos estas amostras no MBE de nosso laboratório. (AU)
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