Ivan Ivanovich Zasavitskii | PN Lebedev Physical Institute of Russian Academy of Sciencies - Rússia

• Processo: 99/07260-9
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 16 de novembro de 1999
• Data de Término da vigência: 15 de novembro de 2000
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Sonia Guimarães
• Beneficiário: Sonia Guimarães
• Pesquisador visitante: Ivan Ivanovich Zasavitskii
• Instituição do Pesquisador Visitante: Russian Academy of Sciences (RAS), Rússia
• Instituição Sede: Instituto de Aeronáutica e Espaço (IAE). Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial (DCTA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Intercâmbio de pesquisadores Colaboração científica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento Epitaxial | Dectores Infravermelhos | Telureto De Chumbo

Resumo

Produzir detectores infravermelhos termais, crescendo epitaxialmente PbTe sobre substratos de BaF2 e Si. Sendo que produzir significa desenvolver o sensor, fechá-lo em um "microcooler", no caso do BaF2, fazer todos os testes de funcionamento, resistência a choque e durabilidade, para no final fazer a transferência para a indústria. (AU)